特許
J-GLOBAL ID：201403085882207790
トランスデューサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
進藤 素子
, 東口 倫昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-115915
公開番号（公開出願番号）：特開2014-236565
出願日： 2013年05月31日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
要約：
【課題】 耐湿性に優れ、誘電層の耐絶縁破壊性が低下しにくいトランスデューサを提供する。【解決手段】 トランスデューサ1は、エラストマーを含む誘電層100と、誘電層100を挟んで配置される電極層101U、101Dと、を有する電歪素子10と、電歪素子10の外側に配置されブチルゴムを含む低透湿層11U、11Dと、低透湿層11Dと電歪素子10との間、および、電歪素子10を挟んで低透湿層11Uと反対側、の少なくとも一方に配置される吸湿剤12と、を備える。空気中の水分は低透湿層により遮断され、低透湿層を透過した水分は吸湿剤に吸収される。これにより、電歪素子10の誘電層100の電気抵抗の低下が抑制され、トランスデューサ1の耐湿性が向上する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
エラストマーを含む誘電層と、該誘電層を挟んで配置される電極層と、を有する電歪素子と、
該電歪素子の外側に配置されブチルゴムを含む低透湿層と、
該低透湿層と該電歪素子との間、および、該電歪素子を挟んで該低透湿層と反対側、の少なくとも一方に配置される吸湿剤と、
を備えることを特徴とするトランスデューサ。
IPC (3件)：
H02N 2/00
, H04R 19/04
, H04R 19/02
H02N2/00 Z
, H04R19/04
, H04R19/02
