特許

J-GLOBAL ID：201403088303708936

半導体装置

発明者： 渡部 平司 ,  細井 卓治 ,  志村 考功 ,  中村 亮太 ,  中野 佑紀 ,  箕谷 周平 ,  中村 孝 ,  浅原 浩和
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  京村 順二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-265615
公開番号（公開出願番号）：特開2014-110402
出願日： 2012年12月04日
公開日（公表日）： 2014年06月12日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜中への電子トラップを低減し、閾値電圧Vthのシフトを抑制することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置1は、ゲートトレンチ4が形成されたSiCエピタキシャル層3と、ゲートトレンチ4においてSiCエピタキシャル層3に接するゲート絶縁膜9と、ゲートトレンチ4においてゲート絶縁膜9の内側に埋め込まれたゲート電極13とを含むMIS構造を有している。MIS構造においてゲート絶縁膜9は、ゲートトレンチ4の内面側から順に積層された下地SiO2膜10、AlON膜11および上側SiO2膜12を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、 前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むMIS構造を有し、 前記ゲート絶縁膜は、窒素組成が5%〜40%のAlON層を含む、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283

FI (6件)：

H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 653A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 C

Fターム (23件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104FF01 ,  4M104FF02 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG08 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体MIS型電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-421001   出願人：日本電気株式会社, 古河電気工業株式会社
• 炭化珪素半導体構造における積層誘電体
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-568128   出願人：クリーインコーポレイテッド

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 18a-TJ-5 Al2O3/SiO2積層ゲート絶縁膜への窒素添加による4H-SiC MISデバイス