炭化珪素半導体構造における積層誘電体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-568128
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524860
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：

【要約】炭化珪素ベースの半導体デバイスのための誘電体構造を開示する。ゲートデバイスにおいて、当該構造は、炭化珪素層、当該炭化珪素層の上にある二酸化珪素層、当該二酸化珪素層の上にある、二酸化珪素の誘電率に比べて高い誘電率を有する別の絶縁材料の層、及び当該絶縁材料に対するゲートコンタクトを含む。他のデバイスでは、誘電体構造は、向上したパッシベーション層又は電界絶縁体を形成する。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体デバイスのための誘電体構造であって、当該誘電体構造が: 炭化珪素層; 当該炭化珪素層の上にある二酸化珪素層;及び当該二酸化珪素層の上にある、二酸化珪素の誘電率に比べて高い誘電率を有する別の絶縁材料の層を含む前記誘電体構造。

IPC (12件)：

H01L 21/314 , H01L 21/329 , H01L 21/336 , H01L 21/338 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/161 , H01L 29/749 , H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 655 , H01L 29/812

FI (14件)：

H01L 21/314 M , H01L 29/161 , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 655 F , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 658 F , H01L 29/91 A , H01L 29/74 601 A , H01L 29/80 B , H01L 27/04 C

Fターム (41件)：

5F005AF02 , 5F005BB02 , 5F005CA05 , 5F038AC05 , 5F038AC16 , 5F038AC17 , 5F058BA01 , 5F058BB01 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD12 , 5F058BJ01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GR09 , 5F102GV05 , 5F140AA07 , 5F140AA19 , 5F140AA25 , 5F140AC07 , 5F140AC23 , 5F140BA02 , 5F140BD01 , 5F140BD02 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD06 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE07 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-155074 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-334786 出願人：株式会社リコー
炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-518224 出願人：クリーリサーチインコーポレイテッド

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