特許
J-GLOBAL ID：201403089940690389
固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲本 義雄
, 西川 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-159565
公開番号（公開出願番号）：特開2014-199898
出願日： 2013年07月31日
公開日（公表日）： 2014年10月23日
要約：
【課題】飽和電荷量および感度の特性をより改善する。【解決手段】 固体撮像素子は、画素ごとに設けられ、光電変換を行って受光量に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、フォトダイオードで発生した電荷を転送する転送トランジスタと、転送トランジスタ以外の、画素の駆動に必要な所定数のトランジスタを含む画素トランジスタと、フォトダイオード領域に対して深さ方向に分離して形成され、フォトダイオードが形成されるフォトダイオード領域と、画素トランジスタが形成されるトランジスタ領域とを備える。そして、トランジスタ領域は、フォトダイオード領域にフォトダイオードを形成した後に、フォトダイオード領域に対して積層するように形成される。本技術は、例えば、CMOSイメージセンサに適用できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
画素ごとに設けられ、光電変換を行って受光量に応じた電荷を発生するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードで発生した電荷を転送する転送トランジスタと、
前記転送トランジスタ以外の、前記画素の駆動に必要な所定数のトランジスタを含む画素トランジスタと、
前記フォトダイオードが形成されるフォトダイオード領域と、
前記フォトダイオード領域に対して深さ方向に分離して形成され、前記画素トランジスタが形成されるトランジスタ領域と
を備え、
前記トランジスタ領域は、前記フォトダイオード領域に前記フォトダイオードを形成した後に、前記フォトダイオード領域に対して積層するように形成される
固体撮像素子。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H04N 5/374
, H04N 5/369
H01L27/14 A
, H04N5/335 740
, H04N5/335 690
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118BA18
, 4M118CA02
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118CA34
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118EA15
, 4M118FA25
, 4M118FA26
, 4M118GA02
, 4M118GB04
, 4M118GB07
, 4M118GB11
, 5C024AX01
, 5C024CX41
, 5C024CY47
, 5C024EX43
, 5C024GX03
, 5C024GX07
, 5C024GX24
, 5C024GY31
, 5C024GY39
