半導体装置および半導体集積回路装置、電子装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：伊東忠重 , 伊東忠彦 , 山口昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-249538
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099470
出願日： 2012年11月13日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
要約：

【課題】フリップチップ実装される大電力半導体装置において、放熱特性を向上させる。【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された活性素子と、を含み、前記多層配線構造中には層間絶縁膜が順次積層されており、前記多層配線構造中には、上端が外部配線基板に接続される外部接続パッドを構成する放熱構造が、下端が前記半導体基板の表面に接触して設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された活性素子と、前記半導体基板上に形成された多層配線構造と、を含み、前記多層配線構造中には、上端が外部配線基板に接続される外部接続パッドを構成する放熱構造が、下端が前記半導体基板の表面に、前記活性素子の素子領域の外でコンタクトして設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 23/34 , H01L 23/12

FI (5件)：

H01L27/04 H , H01L21/88 S , H01L27/04 E , H01L23/34 A , H01L23/12 501P

Fターム (27件)：

5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033QQ48 , 5F033VV01 , 5F033VV05 , 5F033VV07 , 5F033XX22 , 5F033XX24 , 5F038BE07 , 5F038BH16 , 5F038CA05 , 5F038CA08 , 5F038CA10 , 5F038CA16 , 5F038CD18 , 5F038EZ04 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20 , 5F136DA16 , 5F136DA17 , 5F136DA21 , 5F136EA62 , 5F136FA03

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-001857 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-267403 出願人：富士通セミコンダクター株式会社
制御可能な周波数を生成するための半導体チップ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-232548 出願人：アトメルジャーマニーゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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