特許
J-GLOBAL ID:200903064686552202
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
加藤 朝道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-091555
公開番号(公開出願番号):特開2007-266450
出願日: 2006年03月29日
公開日(公表日): 2007年10月11日
要約:
【課題】ESD保護素子において発生した熱を半導体装置外部へ効率よく迅速に放熱可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置1は、ドレイン領域4、ソース領域6及びゲート電極7を備えるMOSFET型のESD保護素子と、熱拡散部とを有する。ドレイン領域4上に形成された熱拡散部は、パッドと電気的に接続されている金属層13、及びドレイン領域4と金属層13とを接続するコンタクト12を有する。金属層13は、ゲート電極7に沿って延在する第1金属配線21と、それと垂直に交差する第2金属配線22とを有する。コンタクト12は、第1金属配線21と第2金属配線22との交差部に接続されている。ESD保護素子のpn接合部で発生し、コンタクト12を伝導してきた熱は、金属層13において第1金属配線21と第2金属配線22を通って3方向に同時に拡散され、パッドに放熱される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1pn接合部を形成する第1半導体領域と第2半導体領域とを有する静電気放電保護素子を備える半導体装置において、
前記静電気放電保護素子の上方に形成される第1金属層と、
前記第1半導体領域と前記第1金属層とを接続する複数の第1コンタクトと、を備え、
前記第1金属層と前記第1コンタクトは、熱的にフローティング状態になく、
前記第1金属層は、前記複数の第1コンタクトのうち少なくとも1つの第1コンタクトを伝導してきた熱を、前記少なくとも1つの第1コンタクトとの接続部から、前記第1pn接合部が延在する方向のうちの少なくとも1方向と、前記第1pn接合部が延在する方向と交差する方向のうちの少なくとも1方向とへ同時に拡散する第1拡散経路を有し、
前記第1拡散経路は、半導体装置外部への熱の伝導経路の一部を形成することを特徴とする半導体装置。
IPC (8件):
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 27/06
, H01L 27/08
, H01L 29/786
, H01L 27/12
FI (8件):
H01L27/04 H
, H01L29/78 301K
, H01L29/78 301P
, H01L29/78 301X
, H01L27/06 311C
, H01L27/08 331E
, H01L29/78 623A
, H01L27/12 H
Fターム (59件):
5F038BH07
, 5F038BH13
, 5F038BH16
, 5F038CA02
, 5F038CA05
, 5F038CA08
, 5F038CA10
, 5F038CD02
, 5F038CD19
, 5F038EZ20
, 5F048AA00
, 5F048AC01
, 5F048AC10
, 5F048BA01
, 5F048BB02
, 5F048BB05
, 5F048BB08
, 5F048BB12
, 5F048BF06
, 5F048BF16
, 5F048BG13
, 5F048CC01
, 5F048CC06
, 5F048CC08
, 5F048CC09
, 5F048CC11
, 5F110AA22
, 5F110CC02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE05
, 5F110EE14
, 5F110EE31
, 5F110GG02
, 5F110GG12
, 5F110GG28
, 5F110HK05
, 5F110HM04
, 5F110NN62
, 5F110NN65
, 5F140AA33
, 5F140AA34
, 5F140AA38
, 5F140AB01
, 5F140AB10
, 5F140AC36
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BF51
, 5F140BF53
, 5F140BJ08
, 5F140BJ11
, 5F140BJ27
, 5F140CA01
, 5F140CA10
, 5F140CB04
, 5F140CD00
, 5F140DA01
, 5F140DA08
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
静電気放電保護素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-127219
出願人:NECエレクトロニクス株式会社
-
米国特許第6407445号明細書
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る