特許

J-GLOBAL ID：201403090442610813

半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法

発明者： 水谷 篤史 ,  清水 哲也
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (2件)： 飯田 敏三 ,  宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-249674
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099480
出願日： 2012年11月13日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
要約：

【課題】シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の良好なエッチング選択性を発揮し、しかもシリコン酸化膜上への酸化シリコンの析出を抑制ないし防止しうる半導体基板のエッチング方法及びこれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】リン酸化合物とケイ素含有化合物と水とを含むエッチング液をシリコン窒化膜(SiN)及びシリコン酸化膜(SiO2)が露出した基板に適用してシリコン窒化膜を選択的に除去するに当たり、エッチング液を沸騰させた後、エッチング液を吐出して、基板に接触させる半導体基板のエッチング方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

リン酸化合物とケイ素含有化合物と水とを含むエッチング液をシリコン窒化膜(SiN)及びシリコン酸化膜(SiO2)が露出した基板に適用して前記シリコン窒化膜を選択的に除去するに当たり、前記エッチング液を沸騰させた後、当該エッチング液を吐出して、前記基板に接触させる半導体基板のエッチング方法。

IPC (8件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/824 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L21/306 E ,  H01L21/308 E ,  H01L21/306 R ,  H01L21/94 A ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (15件)：

4M108AA20 ,  4M108AB04 ,  4M108AC40 ,  5F043AA35 ,  5F043BB23 ,  5F043DD07 ,  5F043DD13 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE22 ,  5F083EP76 ,  5F083GA27 ,  5F083PR05 ,  5F101BD34 ,  5F101BH15

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 水を含む液体混合物の含水量を測定および制御する方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-530638   出願人：インフィネオンテクノロジースエスシー300ゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニーコマンディートゲゼルシャフト, インフィネオンテクノロジーズアクチェンゲゼルシャフト, モトローラ・インコーポレイテッド
• 特開平4-188728
  
• エッチング用組成物及びエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-223989   出願人：東ソー株式会社
• 窒化シリコンのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-198311   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 基板処理方法および基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-080176   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• エッチング液の再生方法、エッチング方法およびエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-322831   出願人：エム・エフエスアイ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 化学便覧 応用化学編, 2003, 第6版 , 第601ページ