特許
J-GLOBAL ID：201403090828645328

記録装置、情報の記録及び消去方法

発明者：
中谷 真人

中谷 真人 について

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中山 知信

中山 知信 について

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青野 正和

青野 正和 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-249601
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099236
出願日： 2013年12月02日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
要約：
【課題】フラーレン分子が与えられるエネルギーによって、重合、解重合を繰り返す性質を利用して、高密度記録ができる装置および方法を提供する。【解決手段】導電性基板の表面にフラーレン分子多層膜(C60多層膜)を有し、記録針(導電性プローブ)により所定強度の負電圧を局所的に印加し、重合度を制御し、前記フラーレン分子多層膜の表面に、重合度に応じた深さの異なる複数の凹部を形成させ情報を記録する手段と、記録針(導電性ポローブ)により所定強度の正電圧を前記深さの異なる複数の凹部に印加して、重合したフラーレン分子を解重合させて前記フラーレン分子多層膜の表面の深さの異なる複数の凹部を復元させて記録した情報を消去する手段と、前記深さの異なる複数の凹部と前記凹部が形成されていない部位の電流変化を読取針(導電性プローブ)により検出し記録した情報を読み取る手段と、を備える。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
導電性基板の表面にフラーレン分子多層膜を有する記録媒体に対して、導電性プローブからなる記録針により所定強度の負電圧を局所的に印加し、最表面のフラーレン分子とその下層のフラーレン分子との重合度を制御し、前記フラーレン分子多層膜の表面に、重合度に応じた深さの異なる複数の凹部を形成させ、該深さの異なる複数の凹部と該凹部が形成されていない部位に情報を記録する手段と、 導電性プローブからなる記録針により所定強度の正電圧を前記深さの異なる複数の凹部に印加して、重合したフラーレン分子を解重合させて前記フラーレン分子多層膜の表面の深さの異なる複数の凹部を復元させて記録した情報を消去する手段と、 前記深さの異なる複数の凹部と前記凹部が形成されていない部位の電流変化を導電性プローブからなる読取針により検出し記録した情報を読み取る手段とを 備えたことを特徴とする記録装置。
IPC (3件)：
G11B 9/14 ,  G01Q 80/00 ,  G01Q 60/10
FI (3件)：
G11B9/14 A ,  G01Q80/00 101 ,  G01Q60/10
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (2件)
  • STM探針によるC60分子の局所重合および脱重合
  • フラーレンポリマー

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