電子デバイスおよびそれを用いた電子機器

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出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：鎌田耕一 , 黒田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-334875
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147785
出願日： 2004年11月18日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】特別な製造方法を用いることなく簡易なプロセスで形成可能であり、キャリア移動度または導電性が高い有機分子層を備える電子デバイスおよびそれを用いた電子機器を提供する。【解決手段】導電性の有機分子層を備え、有機分子層は、第1の共役π電子系を構成する主鎖と、主鎖の少なくとも一方の端に結合している末端基とを備える有機分子を主成分として含む。その末端基は第2の共役π電子系を構成し、主鎖に直交する方向における第2の共役π電子系の広がりが、主鎖に直交する方向における第1の共役π電子系の広がりよりも大きい。そして、その末端基は、表面に露出するように配位結合した金属元素を含まない。【選択図】図15

請求項（抜粋）：

導電性の有機分子層を備える電子デバイスであって、前記有機分子層が、第1の共役π電子系を構成する主鎖と、前記主鎖の少なくとも一方の端に結合している末端基とを備える有機分子を主成分として含み、前記末端基は第2の共役π電子系を構成し、前記主鎖に直交する方向における前記第2の共役π電子系の広がりが、前記主鎖に直交する方向における前記第1の共役π電子系の広がりよりも大きく、前記末端基は、表面に露出するように配位結合した金属元素を含まない電子デバイス。

IPC (6件)：

H01L 51/05 , G09F 9/30 , H01L 51/50 , H01L 29/786 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5件)：

H01L29/28 , G09F9/30 338 , H05B33/14 A , H01L29/78 618B , H01L27/04 C

Fターム (37件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 5C094AA43 , 5C094AA60 , 5C094BA02 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094EB05 , 5C094FB01 , 5C094HA08 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC17 , 5F038EZ20 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC09 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110NN71

引用特許：

出願人引用 (3件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-344021 出願人：大阪瓦斯株式会社
導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-241078 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-184860 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

トランジスタおよびそれを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-369218 出願人：シャープ株式会社
π共役系高分子構造体およびこれを用いた電子素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-064538 出願人：株式会社日立製作所
電界効果トランジスタならびにそれらを製造するための材料および方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-547243 出願人：アベシア・リミテッド

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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