特許

J-GLOBAL ID：201403091051194811

半導体装置

発明者： 小池 淳一 ,  ユン ピルサン ,  川上 英昭
出願人/特許権者： 合同会社先端配線材料研究所
代理人 (3件)： 福田 賢三 ,  福田 伸一 ,  加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-177931
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007418
出願日： 2013年08月29日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：

【課題】電極と半導体層との間のオーミック接合をより安定的に形成し、その間の電気的接触抵抗をより一層低減できるようにする。【解決手段】本発明の半導体装置は、インジウムを含む酸化物半導体材料からなる半導体層103と、その半導体層103上に設けられ、当該半導体層103とオーミック接合を有し、マンガンを含む銅、マンガンを含む銅合金又はマンガンと銅の積層の何れかからなるオーミック電極107と、半導体層103とオーミック電極107との間に設けられた中間層106と、を備え、その中間層106は、半導体層103の内部よりもインジウムの原子濃度を大とする第1の領域106aと、その第1の領域106aよりもインジウムの原子濃度を小とする第2の領域106bとを有し、第1の領域106aは半導体層103に接して配置され、第2の領域106aはオーミック電極107に接して配置される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

インジウムを含む酸化物半導体材料からなる半導体層と、 上記半導体層上に設けられ、当該半導体層とオーミック接合を有し、マンガンを含む銅、マンガンを含む銅合金又はマンガンと銅の積層の何れかからなるオーミック電極と、 上記半導体層と上記オーミック電極との間に設けられた中間層と、を備え、 上記中間層は、半導体層の内部よりもインジウムの原子濃度を大とする第1の領域と、その第1の領域よりもインジウムの原子濃度を小とする第2の領域とを有し、 上記第1の領域は半導体層に接して配置され、上記第2の領域はオーミック電極に接して配置されている、 ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (5件)：

H01L29/78 616S ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M

Fターム (31件)：

4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK41

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特願2012-522728
  出願番号：特願2012-522728  
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-034171   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-251914   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-160697   出願人：出光興産株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-027756   出願人：株式会社半導体理工学研究センター
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-255538   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所