特許
J-GLOBAL ID：201403091287761555

半導体光素子

発明者：
崔 成伯

崔 成伯 について

, 
石谷 善博

石谷 善博 について

, 
吉川 明彦

吉川 明彦 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 千葉大学

国立大学法人 千葉大学 について


代理人 (1件)： 高橋 昌義
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-289267
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102182
特許番号：特許第5561629号
出願日： 2012年12月30日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1伝導型半導体層と、 前記第1伝導型半導体層上に形成されなる活性層と、 前記活性層上に形成されなる第2伝導型半導体層と、からなる半導体光素子の製造方法であって、 前記活性層は、第1半導体と第2半導体とを有し、 前記第2半導体のバルク成長可能温度よりも高温環境下で、前記第2半導体の1分子層厚以上に相当する原料供給し、1分子層厚以下の層厚となる前記第2半導体を形成させる半導体光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 33/06 ( 201 0.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 33/00 186 ,  H01L 33/00 112 ,  H01L 21/203 M
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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