特許
J-GLOBAL ID：200903093061976870
窒化ガリウム系発光ダイオードの発光層の構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
竹本 松司
, 杉山 秀雄
, 湯田 浩一
, 魚住 高博
, 手島 直彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-266533
公開番号（公開出願番号）：特開2006-086167
出願日： 2004年09月14日
公開日（公表日）： 2006年03月30日
要約：
【課題】 発光効率が高くエピタキシャル特性が良好なエピタキシャル膜を成長させられる窒化ガリウム系発光ダイオードの製造方法の提供。【解決手段】 n型窒化ガリウムコンタクト層とp型窒化ガリウムコンタクト層の間に、n型窒化ガリウムコンタクト層より上に順に下位バリア層(Lower Barrier Layer)と少なくとも一層の中間層(Intermediate Layer)、及び、上位バリア層(Upper Barrier Layer)を形成し、即ち上位と下位バリア層で少なくとも一層の中間層を挟み、中間層の数が一より大きい時、即ち上位と下位バリア層で複数の中間層を挟む時、上下の隣接する中間層と中間層の間に更に中位バリア層(Intermediate Barrier Layer)を挟む。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
サファイヤを基板とし、このサファイヤ基板の上に下から上に順にn型窒化ガリウムコンタクト層、該n型窒化ガリウムコンタクト層の一部表面を被覆する発光層、及び該発光層を被覆するp型窒化ガリウムコンタクト層が設けられ、該p型窒化ガリウムコンタクト層と該n型窒化ガリウムコンタクト層の未被覆の表面に正電極と負電極が設けられた窒化ガリウム系発光ダイオードの発光層の構造において、
該発光層が、下から上に順に、
(1)アンドープの窒化アルミニウムガリウムインジウム(Al1-x-y Gax Iny N、0≦x,y≦1)を材料とする下位バリア層、
(2)少なくとも一層が重複重畳された中間層であって、該中間層の数が1より大きい時、上下の隣り合う中間層の間に、中位バリア層が挟まれ、該中位バリア層がアンドープの窒化アルミニウムガリウムインジウム(Al1-i-j Gai Inj N、0≦i,j≦1)で形成された、上記少なくとも一層が重複重畳された中間層、
(3)アンドープの窒化アルミニウムガリウムインジウム(Al1-x-y Gax Iny N、0≦x,y≦1)を材料とする上位バリア層、
以上を具えたことを特徴とする、窒化ガリウム系発光ダイオードの発光層の構造。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F173AF08
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AQ12
, 5F173AR23
, 5F173AR83
