特許
J-GLOBAL ID：201403093528593236

堆積パターンアレイおよびその製造方法

発明者：
田口 敦清

田口 敦清 について

, 
河田 聡

河田 聡 について

, 
齊藤 結花

齊藤 結花 について


出願人/特許権者：
独立行政法人理化学研究所

独立行政法人理化学研究所 について


代理人 (1件)： 岡本 正之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-200228
公開番号（公開出願番号）：特開2014-055825
出願日： 2012年09月12日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】 表面プラズモン共鳴のための広い面積でのパターンを安定して作製する。【解決手段】 本発明のある実施形態の堆積パターンアレイ300の製造方法では、複数の球形粒子110を、基板80のいずれかの面である第1面80Aの上または上方に自己集積作用により互いに並べて仮配置する粒子仮配置工程と、球形粒子を加熱することにより、各球形粒子の基板に対する配置を保って仮配置されている各球形粒子の互いに隣接しているもの同士を互いの近接する位置112の付近にて融着させ、球形粒子の相互の隙間を縮小させる加熱工程と、堆積される物質Mを、互いに融着した球形粒子をマスクとし、隙間を通して基板の第1面の上または上方に堆積する工程と、互いに融着した球形粒子を除去する工程とが行なわれる。また本発明のある態様においては堆積パターンアレイ300も提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の球形粒子を、基板のいずれかの面である第1面の上または上方に自己集積作用により互いに並べて仮配置する粒子仮配置工程と、 該球形粒子を加熱することにより、各球形粒子の前記基板に対する配置を保って仮配置されている各球形粒子の互いに隣接しているもの同士を互いの近接する位置の付近にて融着させ、該球形粒子の相互の隙間を縮小させる加熱工程と、 堆積される物質を、互いに融着した前記球形粒子をマスクとし、前記隙間を通して前記基板の前記第1面の上または上方に堆積する工程と、 互いに融着した前記球形粒子を除去する工程と を含む堆積パターンアレイの製造方法。
IPC (4件)：
G01N 21/65 ,  G01N 21/33 ,  G01N 21/27 ,  G01N 21/64
FI (4件)：
G01N21/65 ,  G01N21/33 ,  G01N21/27 C ,  G01N21/64 G
Fターム (10件)：
2G043BA16 ,  2G043EA01 ,  2G043EA03 ,  2G043GA07 ,  2G043GB01 ,  2G043GB02 ,  2G043GB05 ,  2G043GB16 ,  2G043KA03 ,  2G059HH03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Fabrication of Nanoscale Rings, Dots, and Rods by Combining Shadow Nanosphere Lithography and Anneal

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