特許
J-GLOBAL ID：201403096152077893

クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

発明者：
寺崎 昌人

寺崎 昌人 について

, 
赤江 尚徳

赤江 尚徳 について

, 
堀田 英樹

堀田 英樹 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・ウィン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-039468
公開番号（公開出願番号）：特開2014-209572
出願日： 2014年02月28日
公開日（公表日）： 2014年11月06日
要約：
【課題】クリーニングに要する時間を短縮することができる技術を提供する。【解決手段】反応管と、該反応管を支持するマニホールドと、で構成される処理室内の基板に対して、マニホールドに設けられ、マニホールドから反応管内まで立ち上がった第1のノズルを介して原料ガスを供給する工程と、処理室内の基板に対して、マニホールドに設けられ、マニホールドから反応管内まで立ち上がった第2のノズルを介して酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に酸化膜を形成する工程を行った後の処理室内をクリーニングする方法であって、第2のノズルを介して反応管内へフッ化水素ガスを供給する第1のクリーニング工程と、マニホールドに設けられた第3のノズルを介してマニホールドの内壁面に向けてフッ化水素ガスを供給する第2のクリーニング工程と、を有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
反応管と、該反応管を支持するマニホールドと、で構成される処理室内の基板に対して、前記マニホールドに設けられ、前記マニホールドから前記反応管内まで立ち上がった第1のノズルを介して原料ガスを供給する工程と、前記処理室内の前記基板に対して、前記マニホールドに設けられ、前記マニホールドから前記反応管内まで立ち上がった第2のノズルを介して酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に酸化膜を形成する工程を行った後の前記処理室内をクリーニングする方法であって、 前記第2のノズルを介して前記反応管内へフッ化水素ガスを供給する第1のクリーニング工程と、 前記マニホールドに設けられた第3のノズルを介して前記マニホールドの内壁面に向けてフッ化水素ガスを供給する第2のクリーニング工程と、 を有するクリーニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/44
FI (3件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/316 X ,  C23C16/44 J
Fターム (56件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA41 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045EF02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EG02 ,  5F045EK06 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM