表示装置

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-229420
公開番号（公開出願番号）：特開2013-054367
特許番号：特許第5487269号
出願日： 2012年10月17日
公開日（公表日）： 2013年03月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の画素と、第2の画素と、配線と、を有し、前記第1の画素は、第1の発光素子と、第1のトランジスタと、第1の容量素子と、を有し、前記第2の画素は、第2の発光素子、第2のトランジスタと、第2の容量素子と、を有し、前記配線は、前記第1の発光素子に電流を供給する機能と、前記第2の発光素子に電流を供給する機能と、を有し、前記第1のトランジスタは、前記配線と前記第1の発光素子との間に電気的に接続され、前記第1の容量素子は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、前記第2のトランジスタは、前記配線と前記第2の発光素子との間に電気的に接続され、前記第2の容量素子は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、前記第1の容量素子は、前記配線と重なる領域を有するように設けられ、前記第2の容量素子は、前記配線と重なる領域を有するように設けられ、前記第1の発光素子の発光面積は、前記第2の発光素子の発光面積よりも小さく、前記第1の容量素子が前記配線と重なる領域の面積は、前記第2の容量素子が前記配線と重なる領域の面積よりも小さい表示装置であって、第1の半導体層と、第2の半導体層と、第1の導電層と、第2の導電層と、を有し、前記第1の半導体層は、前記第1のトランジスタのチャネルが形成される領域と、前記第1の容量素子の一対の電極のうちの一方として機能することができる領域と、を有し、前記第2の半導体層は、前記第2のトランジスタのチャネルが形成される領域と、前記第2の容量素子の一対の電極のうちの一方として機能することができる領域と、を有し、前記第1の導電層は、前記第1のトランジスタのゲートとして機能することができる領域と、前記第1の容量素子の一対の電極のうちの他方として機能することができる領域と、を有し、前記第2の導電層は、前記第2のトランジスタのゲートとして機能することができる領域と、前記第2の容量素子の一対の電極のうちの他方として機能することができる領域と、を有し、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、前記第1の導電層、及び前記第2の導電層は、前記配線の下方に設けられ、前記第1の半導体層は、金属酸化物半導体を含み、前記第2の半導体層は、前記金属酸化物半導体を含み、前記第1の容量素子の一対の電極のうちの一方として機能することができる領域の幅は、前記前記第1の容量素子の一対の電極のうちの他方として機能することができる領域の幅よりも広く、前記第2の容量素子の一対の電極のうちの一方として機能することができる領域の幅は、前記前記第2の容量素子の一対の電極のうちの他方として機能することができる領域の幅よりも広いことを特徴とする表示装置。

IPC (5件)：

G09F 9/30 ( 200 6.01) , H01L 27/32 ( 200 6.01) , G09G 3/30 ( 200 6.01) , G09G 3/20 ( 200 6.01) , H01L 51/50 ( 200 6.01)

FI (8件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G09F 9/30 390 Z , G09G 3/30 J , G09G 3/20 624 B , G09G 3/20 680 G , G09G 3/20 641 G , H05B 33/14 A

引用特許：

出願人引用 (5件)

表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-233107 出願人：セイコーエプソン株式会社
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-010766 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
EL表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375724 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (5件)

表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-233107 出願人：セイコーエプソン株式会社
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-010766 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
EL表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375724 出願人：松下電器産業株式会社

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