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J-GLOBAL ID：201502200480928511   整理番号：15A0960186

r-とn-面サファイヤ基板上のZnTeエピ層の成長

Growth of ZnTe epilayers on r- and n-plane sapphire substrates

著者 (9件)： NAKASU Taizo (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  AIBA Takayuki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMASHITA Sotaro (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HATTORI Shota (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KIZU Takeru (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SUN Wei-Che (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TAGURI Kosuke (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KAZAMI Fukino (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Masakazu (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 7  ページ： 075501.1-075501.5  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： r-面(1<span style=text-decoration:overline>1</span>02 )とn-面(11<span style=text-decoration:overline>2</span>3)サファイア基板上にZnTeエピ層を,分子線エピタキシーによって成長させた。エピ層の配向への層におけるZnTeドメイン分布と,基板のc-面場所の影響をX線回折極点図測定によって研究した。回折パターン分析にコンピュータシミュレーションを用いた。(100)-面ZnTeを,r-面基板上に形成した一方,(511)ドメインを混合した2つの異なる{111}-面をそれぞれ,n-面基板上に形成した。r-面サファイヤ基板上のZnTe層の配向は,バッファー層成長条件を変えても変わらなかった。これらの結果から,サファイアのc-面と(111) ZnTeの関係が薄膜の配向に強く影響を及ぼすことが明らかになった。他方,n-面サファイヤ基板上で成長させたZnTe層は,異なる関係を示しそして,ZnTeの(111)はサファイアのc-面に整列しなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： サファイア ,  基板 ,  *亜鉛化合物 ,  *テルル化合物 ,  層 ,  MBE成長 ,  X線回折 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： エピ層

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (32件)：

• T. Yasuda, K. Kimura, S. Miwa, L. H. Kuo, C. G. Jin, K. Tanaka, and T. Yao, Phys. Rev. Lett. 77, 326 (1996).
• M. Niraula, K. Yasuda, H. Ohnishi, K. Eguchi, H. Takahashi, K. Noda, and Y. Agata, J. Cryst. Growth 284, 15 (2005).
• T. Matsumoto, K. Nishimura, A. Nishii, A. Ota, Y. Nabetani, and T. Kato, Phys. Status Solidi C 3, 984 (2006).
• K. Ichino, K. Ueyama, M. Yamamoto, H. Kariya, H. Miyata, H. Misasa, M. Kitagawa, and H. Kobayashi, J. Appl. Phys. 87, 4249 (2000).
• T. Yasuda and Y. Segawa, Phys. Status Solidi B 241, 676 (2004).

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイヤ基板 ,  ZnTe ,  エピ層 ,  成長