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J-GLOBAL ID：201502204690771009   整理番号：15A1047144

純窒素ガス中のポスト酸化アニーリングによる熱成長SiO₂/4H-SiCの界面窒化

Interface nitridation of thermally-grown SiO₂/4H-SiC by post-oxidation annealing in pure nitrogen gas

著者 (5件)： CHANTHAPHAN Atthawut (Osaka Univ.) ,  CHENG Yen Hung (Osaka Univ.) ,  HOSOI Takuji (Osaka Univ.) ,  SHIMURA Takayoshi (Osaka Univ.) ,  WATANABE Heiji (Osaka Univ.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.16A-1A-8  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  焼なまし ,  *二酸化ケイ素 ,  *窒化 ,  熱酸化 ,  MOSFET ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  欠陥 ,  *界面 ,  表面欠陥 ,  薄膜コンデンサ ,  MOS構造 ,  状態密度 ,  表面準位 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  MOSキャパシタ ,  ゲート絶縁体 ,  界面欠陥 ,  界面状態密度

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒素ガス ,  酸化 ,  アニーリング ,  成長 ,  SiO2 ,  界面 ,  窒化