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J-GLOBAL ID：201502210611738581   整理番号：15A1202654

微傾斜偏角4H-SiC基板上に成長させた3C-SiCを用いた水素発生用の光電陰極

Photocathode for hydrogen generation using 3C-SiC epilayer grown on vicinal off-angle 4H-SiC substrate

著者 (3件)： ICHIKAWA Naoto (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  KATO Masashi (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  ICHIMURA Masaya (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 9  ページ： 091301.1-091301.3  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： クリーンなエネルギー源として水素が注目されている。太陽光を半導体光電陰極に照射して水を分解することで,CO₂を放出させずに水素を製造できる。本研究では,微傾斜偏角4H-SiC基板上に成長させた3C-SiCを光電陰極に用いた。3C-SiCエピタキシャル膜を光学顕微鏡観察とRaman分光法により確認した。光電陰極のスペクトル応答は広い波長範囲で高い量子効率を示した。Ni対向電極を用い,光電陰極に1.1W/cm²の太陽光を照射したときの光電流は約13.5mA/cm²であった。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  半導体材料 ,  *光電陰極 ,  光電流 ,  *発生 ,  分解反応 ,  顕微鏡観察 ,  Ramanスペクトル ,  時間依存性
準シソーラス用語： *3C-SiC ,  4H-SiC ,  *水素発生 ,  水分解

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

引用文献 (17件)：

• J. K. Reddy, K. Lalitha, P. V. L. Reddy, G. Sadanandam, M. Subrahmanyam, and V. D. Kumari, Catal. Lett. 144, 340 (2014).
• C. Das, P. Roy, M. Yang, H. Jha, and P. Schmuki, Nanoscale 3, 3094 (2011).
• S. U. M. Khan, M. Al-shahry, and W. B. Ingler, Jr., Science 297, 2243 (2002).
• R. S. Pessoa, M. A. Fraga, L. V. Santos, M. Massi, and H. S. Maciel, Mater. Sci. Semicond. Process. 29, 56 (2015).
• J. Benton, J. Bai, and T. Wang, Appl. Phys. Lett. 102, 173905 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： 偏角 ,  4H-SiC ,  成長 ,  3C-SiC ,  水素発生 ,  光電陰極