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J-GLOBAL ID：201502211356594208   整理番号：15A1019121

N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価

Electrical characteristics of N-polar p-type GaN Schottky contacts

著者 (5件)： 青木俊周 (福井大 大学院工学研究科) ,  谷川智之 (東北大 金属材料研) ,  片山竜二 (東北大 金属材料研) ,  松岡隆志 (東北大 金属材料研) ,  塩島謙次 (福井大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 156(ED2015 36-46)  ページ： 1-4  発行年： 2015年07月17日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： N極性p-GaNショットキー接触の電気的特性を,電流-電圧(I-V),容量-電圧(C-V),光応答(PR)測定を用いて評価した。Ga極性試料より1eV以上低い障壁高さ(qφ_B)が得られた。界面近傍に局在するGa空孔によるキャリアの捕獲と放出過程によって引き起こされるメモリー効果は,I-V特性において観察されなかった。これは,高温過渡容量分光(H-ICTS)スペクトルにおいてピークが検出されなかったこととよく一致する。従って,N極性表面において,終端のN層がGa原子の外部拡散を抑制していると考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体金属接合 ,  *Schottky障壁 ,  化合物半導体 ,  窒化ガリウム ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  応答 ,  光照射 ,  P型半導体 ,  電気的性質
準シソーラス用語： GaN ,  光応答 ,  電気的特性

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

引用文献 (10件)：

• F. Akyol, D. N. Nath, S. Krishnamoorthy, P. S. Park, and S. Rajan, Appl. Phys. Lett. 100, 111118 (2012).
• O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
• S. Inoue, M. Katoh, A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Hujioka, Phys. Status Solidi: Rapid Res. Lett. 4, 88 (2010)
• T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Aisaka, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka, Jpn, J. Appl. Phys. 53, 05FL05 (2014).
• K. Shiojima, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 77, 4353 (2000).

タイトルに関連する用語 (6件)： 極性 ,  GaN ,  ショット ,  キー ,  電気的特性 ,  評価