(In)GaN接触層を使用することによるInGaN/GaNベースの発光ダイオードの順方向バイアス電圧の低下

KANG Daesung; KANG Daesung; HAN Younghun; KANG Donghun; KYOUNG Hyunai; JEONG Hwanhee; SONG June-O; KIM Dae-Hyun; SEONG Tae-Yeon

文献

J-GLOBAL ID：201502213577860304 整理番号：15A0877739

(In)GaN接触層を使用することによるInGaN/GaNベースの発光ダイオードの順方向バイアス電圧の低下

Reducing forward bias voltage of InGaN/GaN-based light emitting diodes by using (In)GaN contact layer

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資料名：
巻： 54 号： 6 ページ： 062102.1-062102.5 発行年： 2015年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

indium-tin-oxide(ITO)p-コンタクトを用いたGaNベースの発光ダイオード(LEDs)の電気特性を,(In)GaNコンタクト層の厚さとIn組成の関数として調査した。GaN接触層を有するLEDsの順方向電圧は,ITOのみ(4.2V)よりも低い電圧(3.48-3.03V)を示した。LEDsの順電圧は接触層の厚さ(1.4nmから)を増加させ,In組成で増加するとともにに減少した。しかしながら,出力パワーはIn組成の増加とともに直線的に減少し,一方,GaN接触層のLEDsは2nmの厚さで飽和した。接触層を有するサンプルのX線光電子分光(XPS)によるGa2pコアレベルは,コンタクト層なしのサンプルと比べて結合エネルギーが下側に0.11-0.22eV移行した。しかしながら,エネルギーシフトはIn組成の増加とともに減少した。接触層のサンプルと異なり,接触層のないサンプルではN原子の外方拡散が生じた。XPSと原子間力顕微鏡結果に基づいて,接触層に起因するた電気特性の改良について説明し議論した。(翻訳著者抄録)

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発光素子 , 界面の電気的性質一般

引用文献 (28件)：

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