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J-GLOBAL ID：201502214293580170   整理番号：15A1166267

電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と紫外光応答特性

Electrochemical formation and UV photoresponse properties of GaN porous structures

著者 (4件)： 喜田弘文 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  熊崎祐介 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  谷田部然治 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 170(ED2015 47-53)  ページ： 51-54  発行年： 2015年07月27日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 分光電気化学測定法を用いて,GaN多孔質構造の光応答特性および光吸収特性を調査した。構造のもつ大きな表面積と低い光反射率特性により,GaN多孔質電極はプレーナ電極と比べて大きな光電流特性を示した。GaNのバンドギャップより小さな光子エネルギーを持つ照射光に対して,明瞭な光電流特性を観測した。バンド端吸収のレッドシフト量は強い電界依存性を示したことから,得られた光吸収特性には,Franz-Keldysh効果が関与していると考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *多孔質体 ,  *窒化ガリウム ,  *光電流 ,  *バンドギャップ ,  *分光電気化学 ,  応答 ,  *光照射 ,  *光吸収 ,  *赤方偏移 ,  表面積 ,  光反射 ,  反射率 ,  エネルギー ,  光子 ,  依存性 ,  電場効果 ,  Franz-Keldysh効果 ,  バンド端 ,  光子エネルギー ,  電場依存性
準シソーラス用語： 多孔質構造 ,  光応答 ,  電界依存性

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

引用文献 (11件)：

• M. A. Khan, J. Kuznia, D. T. Olson, M. Blasingame, and A. R. Bhattarai, Schottky barrier photodetector based on Mg-doped p-type GaN films, Appl. Phys. Lett. 63, pp 2455-2456 ,1993..
• D. Walker, V. Kumar, K. Mi, P. Sandvik, P. Kung, X. H.Zhang,M.Razeghi, Solar-blind AlGaN photodiodes with very low cutoff wavelengthAppl. Phys. Lett. 76, pp403 2000.
• Y. Kumazaki, A. Watanabe, Z. Yatabe, T. Sato, Correlation between Structural and Photo- electrochemical Properties of GaN Porous Nanostructures Formed by Photo-Assisted Electrochemical Etching, Journal of the Electrochemical Society, 161, pp705-709, 2014.
• A. Watanabe, Y. Kumazaki, Z. Yatabe, T. Sato, Formation of GaN-Porous Structures Using Photo-Assisted Electrochemical Process in Back-Side Illumination Mode, ECS Electrochemistry Letters, 4, pp1-3,2015.
• X. Y. Guo, T. L. Williamson, P. W. Bohn, Enhanced ultraviolet photoconductivity in porous GaN prepared by metal-assisted electroless etching, Solid State Comm, 140, pp159-162, 2006.

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  手法 ,  GaN ,  多孔質構造 ,  紫外光 ,  応答特性