文献

J-GLOBAL ID：201502214416677573   整理番号：15A0772536

AlN/GaNヘテロ構造の発光特性に対するAlO_x形成の影響

Impacts of AlO_x formation on emission properties of AlN/GaN heterostructures

著者 (7件)： ONUMA Takeyoshi (Tokyo National Coll. Technol., Tokyo, JPN) ,  ONUMA Takeyoshi (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  ONUMA Takeyoshi (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  SUGIURA Yohei (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAGUCHI Tomohiro (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA Tohru (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 5  ページ： 052401.1-052401.3  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN/GaNヘテロ構造の発光特性に対するAlO_x形成の影響を,定常状態及び時間分解フォトルミネッセンス(PL)測定を用いて比較的似研究した。励起パワー及び温度依存PLスペクトルを解析して,3.45~3.46eV近傍でのPLを二次元電子気体(2DEG)に関連した発光に帰着させた。結晶性AlO_x層形成により発光エネルギー及び寿命の同時変化を観測した。この結果は,表面酸化物構造を変化させる事で表面状態を制御できる可能性を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  *素子構造 ,  *光ルミネセンス ,  時間分解分光法 ,  スペクトル ,  二次元電子ガス ,  酸化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ構造
準シソーラス用語： AlN ,  GaN ,  フォトルミネセンス ,  フォトルミネセンススペクトル

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (18件)：

• For example, see H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7565 (2006).
• F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
• O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
• J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
• M. S. Miao, J. R. Weber, and C. G. Van de Walle, J. Appl. Phys. 107, 123713 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  発光特性