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J-GLOBAL ID：201502215040316376   整理番号：15A0841941

4H-SiCウエハの大気圧熱プラズマジェット熱処理の際の冷却速度の精密な制御による高効率不純物活性化

High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer

著者 (6件)： MARUYAMA Keisuke (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HANAFUSA Hiroaki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  ASHIHARA Ryuhei (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HAYASHI Shohei (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MURAKAMI Hideki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 6S2  ページ： 06GC01.1-06GC01.8  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不純物活性化のための,大気圧熱プラズマジェット照射によるシリコンカーバイド(SiC)ウエハの高温,急速熱処理を調べた。SiCウエハ内の温度勾配を減らすために,DC電流予加熱システムとウエハの横方向の前後運動を導入した。試料を破壊することなく2.4秒以内で1835°Cの最大表面温度を達成し,SiC内のアルミニウム(Al),リン(P),ヒ素(As)の活性化を実現した。P⁺衝撃4H-SiCの急速熱処理の際の加熱速度(R_h)と冷却速度(R_c)の精密な制御,および,不純物活性化に対するその影響を調べた。R_hに対する抵抗の依存性は見られなかったが,R_cを増すと抵抗率は著しく低下した。R_c=568°C/sで,0.0025Ω・cmの最小抵抗値と2.9×10²⁰cm^-3の最大キャリア濃度が得られた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *プラズマジェット ,  冷却速度 ,  活性化 ,  不純物 ,  *熱処理 ,  アルミニウム ,  リン ,  ヒ素 ,  電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  *大気圧プラズマジェット
準シソーラス用語： *4H-SiC

分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (36件)：

• H. Matsunami and T. Kimoto, Mater. Sci. Eng. R 20, 125 (1997).
• M. V. Rao, Solid-State Electron. 47, 213 (2003).
• A. Shima and A. Hiraiwa, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 5708 (2006).
• M. Satoh, Mater. Sci. Forum 389-393, 773 (2002).
• Y. Negoro, T. Kimoto, H. Matsunami, and G. Pensl, Mater. Sci. Forum 527-529, 843 (2006).

タイトルに関連する用語 (9件)： 4H-SiC ,  ウエハ ,  大気圧 ,  プラズマジェット ,  熱処理 ,  冷却速度 ,  高効率 ,  不純物 ,  活性化