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J-GLOBAL ID：201502228611235593   整理番号：15A0700886

引張歪四元InAlGaN障壁を持つ新しい高電流密度のGaNベースのノーマリーオフのトランジスタ

Novel high-current density GaN-based normally off transistor with tensile-strained quaternary InAlGaN barrier

著者 (6件)： KAJITANI Ryo (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  TANAKA Kenichiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  OGAWA Masahiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ISHIDA Hidetoshi (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  ISHIDA Masahiro (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Panasonic Corp., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DF09.1-04DF09.5  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN障壁の代わりに四元InAlGaN障壁を使う高電流密度のGaNベースのノーマリーオフ型へテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)を研究する。分極によって誘起される電荷を制御する必要がある故に,GaNベースのHFETでは高電流動作とノーマリーオフ動作の両方を得ることが難しい。四元InAlGaN障壁を使ってノーマリーオフ動作を得るためにはInAlGaN障壁を選択的に取り除いてP-AlGaN層をゲート電極として形成する。得たInAlGaNベースのHFETの閾電圧は,プラス1.1Vである。最大ドレイン電流は0.73A/mmの高さに達し,それは在来のAlGaNベースのノーマリーオフのゲート注入トランジスタ(GIT)の殆ど二倍である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 回路特性 ,  *窒化物 ,  *インジウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  ゲート【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電圧 ,  電流 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  シート抵抗 ,  キャリア密度 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *HFET ,  ドレイン電流 ,  ノーマリーオフ型 ,  ノーマリーオフ動作 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  *窒化インジウムアルミニウムガリウム ,  閾電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (23件)：

• M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, W. J. Schaff, J. W. Burm, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 65, 1121 (1994).
• S. C. Binari, J. M. Dedwing, G. Kelner, and W. Kruppam, Electron. Lett. 33, 242 (1997).
• R. Gaska, Q. Chen, J. Yang, A. Osinsky, M. Khan, and M. Shur, IEEE Electron Device Lett. 18, 492 (1997).
• T. Nanjo, M. Takeuchi, M. Suita, T. Oishi, Y. Abe, Y. Tokuda, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 92, 263502 (2008).
• P. Waltereit, W. Bronner, M. Musser, F. van Raay, M. Dammann, M. Cäsar, S. Müller, L. Kirste, K. Köhler, R. Quay, M. Mikulla, and O. Ambacher, J. Appl. Phys. 112, 053718 (2012).

タイトルに関連する用語 (6件)： 引張歪 ,  障壁 ,  高電流密度 ,  GaN ,  ノーマリーオフ ,  トランジスタ