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J-GLOBAL ID：201502229232443355   整理番号：15A0532907

ハロゲン化物気相成長によるβ-Ga₂O₃層のホモエピタキシャル成長

Homoepitaxial growth of β-Ga₂O₃ layers by halide vapor phase epitaxy

著者 (15件)： MURAKAMI Hisashi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  NOMURA Kazushiro (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  GOTO Ken (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  SASAKI Kohei (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KAWARA Katsuaki (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  THIEU Quang Tu (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  TOGASHI Rie (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KUMAGAI Yoshinao (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  YAMAKOSHI Shigenobu (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  MONEMAR Bo (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  MONEMAR Bo (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  KOUKITU Akinori (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 1  ページ： 015503.1-015503.4  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い結晶品質の厚い高純度β-Ga₂O₃層をedge-defined film-fed法で作成された(001)β-Ga₂O₃基板上に,ガス状のGaClとO₂を用いてハライド気相エピタキシー(HVPE)法でエピタキシャル成長した。成長温度を増加させると,成長した層の表面形態と構造的な品質は向上した。1000°Cで成長した層の(002)及び(400)反射に対するX線回折のωロッキングカーブは小さな半値全幅を持った。二次イオン質量分析法と電気特性は,低い有効ドナー濃度(Na<10¹³cm^-3)の高純度β-Ga₂O₃層の成長がHVPEで可能であることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *ハロゲン化物 ,  *酸化ガリウム ,  ホモエピタクシー ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  X線回折 ,  表面形態 ,  *構造
準シソーラス用語： *化学的気相成長

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  結晶成長技術・装置  (BK13020B)

引用文献 (23件)：

• Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, and S. Nakagomi, Appl. Phys. Lett. 90, 031912 (2007).
• T. Oshima, T. Okuno, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 7217 (2007).
• M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100, 013504 (2012).
• M. Higashiwaki, K. Sasaki, T. Kamimura, M. H. Wong, D. Krishnamurthy, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 103, 123511 (2013).
• M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Phys. Status Solidi A 211, 21 (2014).

タイトルに関連する用語 (5件)： ハロゲン化物 ,  気相成長 ,  β-Ga2O3 ,  ホモ ,  エピタキシャル成長