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J-GLOBAL ID：201502234498277497   整理番号：15A0362225

W原子を包含したSiクラスタからなるアモルファスおよびエピタキシャルSiリッチシリサイド膜の電気特性

Electrical properties of amorphous and epitaxial Si-rich silicide films composed of W-atom-encapsulated Si clusters

著者 (3件)： OKADA Naoya (Japan Sci. and Technol. Agency, PRESTO, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN) ,  UCHIDA Noriyuki (Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Higashi, Tsukuba, Ibaraki ...) ,  KANAYAMA Toshihiko (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 117  号： 9  ページ： 095302-095302-7  発行年： 2015年03月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *タングステン ,  包有物 ,  *ケイ素 ,  *クラスタ ,  *非晶質 ,  *エピタクシー ,  *ケイ化物 ,  電気特性 ,  熱処理 ,  Hall効果 ,  N型半導体 ,  キャリア移動度 ,  光学ギャップ ,  バンド構造 ,  ダングリングボンド ,  X線光電子分光法 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  *シリコンリッチシリサイド ,  バンドエッジ ,  電子移動度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子 ,  Si ,  クラスタ ,  アモルファス ,  エピタキシャル ,  シリサイド ,  電気特性