文献

J-GLOBAL ID：201502242115302330   整理番号：15A0700854

30nmのNAND型フラッシュメモリーにおけるランダム電報雑音 空間と統計分布へのチャンネルドーピング濃度とセル・プログラム状態依存

Channel doping concentration and cell program state dependence on random telegraph noise spatial and statistical distribution in 30nm NAND flash memory

著者 (2件)： TOMITA Toshihiro (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  MIYAJI Kousuke (Shinshu Univ., Nagano, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DD02.1-04DD02.6  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チャンネルドーピング濃度 N_Aと,セル・プログラム状態V_thの30nmのNAND型フラッシュメモリーにおけるランダム電報雑音(RTN)の空間と統計分布への依存をランダムなドーパント変動(RDF)を考慮した3次元モンテカルロ・デバイス・シミュレーションを使い包括的に研究した。単一トラップRTN振幅ΔV_thがNAND型フラッシュメモリーでチャンネル領域の中心でより大きいことが分かつた。これはN_Aが接合漏洩電流を抑えるのに比較的低いのでゼリウム(均一)ドーピング結果近い。更に,チャンネルの中心のΔV_thピークは,チャンネルと制御ゲートの間のフリンジ静電容量を通した高い垂直電場によって誘導される浅い溝単離(STI)エッジでの電流濃度のため,より高いV_th状態で減少する。このような場合,ΔV_th分布の傾斜λは,RDFと単一トラップを考慮するだけで決定できない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *NAND回路 ,  *フラッシュメモリ ,  雑音 ,  空間分布 ,  統計 ,  ドーパント ,  漏れ電流 ,  静電容量

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (32件)：

• K. Takeuchi, T. Nagumo, S. Yokogawa, K. Imai, and Y. Hayashi, Symp. VLSI Tech. Dig., 2009, p. 54.
• A. Ghetti, C. M. Compagnoni, A. S. Spinelli, and A. Visconti, IEEE Trans. Electron Devices 56, 1746 (2009).
• S. M. Joe, M. K. Jung, W. Lee, M. S. Lee, B. S. Jo, J. H. Bae, S. K. Park, K. R. Han, J. H. Yi, G. S. Cho, and J. H. Lee, Symp. VLSI Tech. Dig., 2011, p. 112.
• C. M. Compagnoni, A. S. Spinelli, S. Beltrami, M. Bonanomi, and A. Visconti, IEEE Electron Device Lett. 29, 941 (2008).
• C. M. Compagnoni, R. Gusmeroli, A. S. Spinelli, and A. Visconti, IEEE Trans. Electron Devices 55, 3192 (2008).

タイトルに関連する用語 (7件)： NAND ,  フラッシュメモリー ,  雑音 ,  統計分布 ,  チャンネル ,  ドーピング ,  セル