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J-GLOBAL ID：201502248292570091   整理番号：15A0700884

Auの無いAlGaN/GaN Schottky障壁ダイオード上の一定電圧オフ状態ストレスの研究

Investigation of constant voltage off-state stress on Au-free AlGaN/GaN Schottky barrier diodes

著者 (13件)： HU Jie (imec vzw, Leuven, BEL) ,  HU Jie (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  STOFFELS Steve (imec vzw, Leuven, BEL) ,  LENCI Silvia (imec vzw, Leuven, BEL) ,  WU Tian-Li (imec vzw, Leuven, BEL) ,  WU Tian-Li (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  RONCHI Nicolo (imec vzw, Leuven, BEL) ,  YOU Shuzhen (imec vzw, Leuven, BEL) ,  BAKEROOT Benoit (imec vzw, Leuven, BEL) ,  BAKEROOT Benoit (Ghent Univ., Gent, BEL) ,  GROESENEKEN Guido (imec vzw, Leuven, BEL) ,  GROESENEKEN Guido (KU Leuven, Leuven, BEL) ,  DECOUTERE Stefaan (imec vzw, Leuven, BEL)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DF07.1-04DF07.4  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,一定電圧(V_AC=-100V)のオフ状態ストレス条件下のAlGaN/GaN Schottky障壁ダイオードについての詳細な解析を行う。ストレスを与えた後のダイオードの電流-電圧(I-V)特性は,Schottky接触の近傍で起こる電子の捕獲に起因する漏れの減少とオン状態の劣化を示す。容量-電圧(C-V)測定はストレスを受けたデバイスの障壁高さとオン抵抗の増大を裏付ける。更に,オン抵抗の増大を異なる温度とストレス時間について調べた。TCADシミュレーションによって,AlGaN/Si₃N₄界面における「捕獲領域」の横方向拡大が可視化され,それは温度が高いほどオン抵抗の増大が著しいという現象を定性的に説明することが出来る。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： CAD【計算機】 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  Schottky障壁 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： TCAD ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (36件)：

• N. Ikeda, Y. Niiyama, H. Kambayashi, Y. Sato, T. Nomura, S. Kato, and S. Yoshida, Proc. IEEE 98, 1151 (2010).
• O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
• W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2528 (2003).
• D. Christy, T. Egawa, Y. Yano, H. Tokunaga, H. Shimamura, Y. Yamaoka, A. Ubukata, T. Tabuchi, and K. Matsumoto, Appl. Phys. Express 6, 026501 (2013).
• B. De Jaeger, M. Van Hove, D. Wellekens, X. Kang, H. Liang, G. Mannaert, K. Geens, and S. Decoutere, Proc. 24th Int. Symp. Power Semiconductor Devices and IC’s (ISPSD), 2012, p. 49.

タイトルに関連する用語 (8件)： Au ,  AlGaN ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード ,  一定電圧 ,  オフ状態 ,  ストレス ,  研究