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J-GLOBAL ID：201502261584538640   整理番号：15A0445750

光伝導半導体スイッチアプリケーション用のn型4H-SiCのプラズマエッチング

Plasma Etching of n-Type 4H-SiC for Photoconductive Semiconductor Switch Applications

著者 (5件)： EKINCI Huseyin (Texas Tech Univ., Nano Tech Center, 79409-1051, Lubbock, TX, USA) ,  KURYATKOV Vladimir V. (Texas Tech Univ., Nano Tech Center, 79409-1051, Lubbock, TX, USA) ,  MAUCH Daniel L. (Texas Tech Univ., Center for Pulsed Power and Power Electronics, 79409-3102, Lubbock, TX, USA) ,  DICKENS James C. (Texas Tech Univ., Center for Pulsed Power and Power Electronics, 79409-3102, Lubbock, TX, USA) ,  NIKISHIN Sergey A. (Texas Tech Univ., Nano Tech Center, 79409-1051, Lubbock, TX, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 44  号： 5  ページ： 1300-1305  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高純度半絶縁性4H-SiC基板(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)上に製作した光伝導半導体スイッチ(PCSS)は,小型パッケージ中で高電流のスイッチングを長デバイス寿命で行うことができる。これらのデバイスで低抵抗Ohm接触を形成するためには,適切な厚みの高ドープn型SiCエピタキシャル層が必要である。さらに,このPCSSsの性能を向上させるためには,このOhm接触間のSiC表面は非常に平滑でなければならない。筆者等は,この必要な平滑性を持つn型SiCエピタキシャル層を作る誘導結合プラズマ反応性イオンエッチングプロセスについて報告した。エッチング速度とポストエッチング表面形態はプラズマ条件に依存した。筆者等は,エピタキシャル層の表面平滑性はアルゴン-塩素混合物中にBCl₃を添加することにより改善できることが分かった。最適エッチングプロセスにより,非常に平滑な表面(~0.3nm RMS)を比較的高エッチング速度~220nm/minで作製した。この新しい製作法は,PCSSデバイスのオン抵抗を大幅に低減し,その動作耐久性を改良した。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 光伝導 ,  *スイッチ ,  半導体素子 ,  *炭化ケイ素 ,  六方晶系 ,  *プラズマエッチング ,  寿命 ,  Ohm接触 ,  層 ,  エピタクシー ,  誘導結合プラズマ ,  RIE【エッチング】 ,  オン抵抗 ,  平滑化
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  長寿命 ,  半導体スイッチ ,  反応性イオンエッチング

分類 (2件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光伝導 ,  半導体スイッチ ,  アプリケーション ,  4H-SiC ,  プラズマエッチング