ナノ結晶ドープGeSbTe材料を用いた4F<sup>2</sup>-クロスポイント相変化メモリー

TAKAURA Norikatsu; KINOSHITA Masaharu; TAI Mitsuharu; OHYANAGI Takasumi; AKITA Kenichi; MORIKAWA Takahiro

文献

J-GLOBAL ID：201502272633743427 整理番号：15A0700853

ナノ結晶ドープGeSbTe材料を用いた4F²-クロスポイント相変化メモリー

A 4F²-cross-point phase change memory using nano-crystalline doped GeSbTe material

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 54 号： 4S ページ： 04DD01.1-04DD01.6 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本稿は4F²セル・サイズのクロスポイント相変化メモリーを作るのにナノ結晶ドープGeSbTeまたはナノGSTの使用と得た試験結果について報告した。高いオン-オフ比率と,4F²メモリー・セル配列へのデータ書き込みのポリSiダイオード選択デバイスの特性を示した。近隣の擾乱と4F²クロスポイント配列構造に関して従来のGeSbTeへのナノGSTの長所を提示した。メモリー・セルの高い駆動しやすさ,低電力,そして,選択的な,書き込み,そして,読み出し性能を実証した。ダイオード電流密度のスケーラビリティも,提示した。(翻訳著者抄録)

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記憶装置

引用文献 (31件)：

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ナノ結晶ドープGeSbTe材料を用いた4F2-クロスポイント相変化メモリー

ナノ結晶ドープGeSbTe材料を用いた4F²-クロスポイント相変化メモリー