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J-GLOBAL ID：201502287147006060   整理番号：15A0713196

大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動

Grain Growth Control by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation on Amorphous Silicon Strips and High-Speed Operation of CMOS Circuit

著者 (5件)： 森崎誠司 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  林将平 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  山本将悟 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  中谷太一 (広島大 大学院先端物質科学研究科) ,  東清一郎 (広島大 大学院先端物質科学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 19(OME2015 1-17)  ページ： 49-52  発行年： 2015年04月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 1μmのアモルファスシリコン細線構造を用いることにより大気圧マイクロ熱プラズマジェット(μ-TPJ)の高速横方向結晶化(HSLC)によるチャネル領域のランダム粒界を抑制した。チャネル長(L)1μmの短チャネルで形成した薄膜トランジスタ(TFT)においても細線構造が有効であり,細線構造を用いない場合に比べてTFTの特性ばらつきをおよそ1/3以下に抑制し,NMOSで電界効果移動度は503±63cm²V^-1s^-1,しきい値電圧は1.7±0.06V,Sファクターは196±15mV/dec.を達成した。さらに細線構造を用いた9段のリング発振器は電源電圧5Vで107.5MHzで発振し,CMOS回路の高速駆動を実証した。(著者抄録)

シソーラス用語： プラズマ ,  *プラズマ曝露 ,  アモルファスシリコン ,  *結晶成長 ,  成長調節 ,  半導体集積回路 ,  *CMOS構造 ,  ナノワイヤ ,  ケイ素 ,  薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  電場効果 ,  電圧 ,  リング発振器
準シソーラス用語： CMOS回路 ,  TFT【トランジスタ】 ,  ケイ素ナノ細線 ,  プラズマ照射 ,  成長制御 ,  *大気圧マイクロプラズマ ,  電界効果移動度 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (14件)：

• A. Sazonov and A. Nathan, “120°C fabrication technology for a-Si:H thin film transistors on flexible polyimide substrates“, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 780, 2000.
• T. Sameshima, S. Usui and M. Sekiya, “XeCl Excirner Laser Annealing Used in the Fabrication of Poly-Si TFTs,“ IEEE Electron Device Lett. EDL-7, pp. 276-278, 1986.
• K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, “Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors,“ Nature432, pp. 488-492, 2004.
• H. H. Hsieh, T. Kamiya, K. Nomura, H. Hosono, and C. C. Wu, “Modeling of amorphous InGaZnO4 thin film transistors and their subgap density of states,“ App. Phys. Lett., vol.92, 133503, 2008.
• T. W. Kelley, P. F. Baude, C. Gerlach, D. E. Ender, D. Muyres and M. A. Haase, D.E. Vogel, and S.D. Theiss, “Recent Progress in Organic Electronics: Materials, Devices, and Processes“, Chem. Mater. 16, pp.4413-4422, 2004.

タイトルに関連する用語 (6件)： 大気圧 ,  プラズマジェット ,  アモルファスシリコン ,  細線 ,  結晶成長 ,  CMOS回路