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J-GLOBAL ID:201502292090721801   整理番号:15A0470873

三元ナローギャップ酸化物半導体の構造と熱的性質 ウルツ鉱誘導β-CuGaO2

Structural and Thermal Properties of Ternary Narrow-Gap Oxide Semiconductor; Wurtzite-Derived β-CuGaO2
著者 (9件):
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巻: 54  号:ページ: 1698-1704  発行年: 2015年02月16日 
JST資料番号: C0566A  ISSN: 0020-1669  CODEN: INOCAJ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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β-CuGaO2をβ-NaGaO2前駆体のイオン交換法により調製し,放射光X線回折法のデータをRietveld法で精密化することにより,結晶構造を明らかにした。その結果,理想的ウルツ鉱型結晶構造からの歪みは小さいことがわかった。また熱重量分析-示差熱分析,示差走査熱量測定の結果,約495°Cにおいて,β-CuGaO2からα-CuGaO2への相転移が起こることがわかった。したがって,β-CuGaO2は準安定相であることがわかった。また直接バンドギャップの性質は,カチオンが小さいことと酸素の四面体歪によって説明できた。
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分類 (3件):
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塩基,金属酸化物  ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  ,  固相転移 
タイトルに関連する用語 (4件):
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