特許
J-GLOBAL ID：201503000476525309
積層型集積回路及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 福尾 誠
, 齋藤 恭一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-233276
公開番号（公開出願番号）：特開2015-095517
出願日： 2013年11月11日
公開日（公表日）： 2015年05月18日
要約：
【課題】可視光を透過するとともに高速動作が可能な多層積層型の集積回路とその製造方法を提供する。【解決手段】SOI基板のシリコン単結晶層にMOSトランジスタを作製し、受光・発光領域となる領域のシリコン層を除去する。次いで、SOI基板のハンドル基板を除去し、単層集積回路を形成する。その後、基板又は既に集積回路が積層された基板上に単層集積回路を転写する。その後、転写された集積回路上に光電変換膜又は発光膜を形成する。この工程を繰り返して、可視光を透過するとともに、回路部が単結晶シリコントランジスタで構成された積層型集積回路を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン層からなるMOSトランジスタで構成された回路部を備え、該回路部以外の単結晶シリコン層が除去されてなる単層集積回路を、基板上に複数層積層してなる積層型集積回路であって、
前記単層集積回路は、可視光が透過することを特徴とする積層型集積回路。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L27/14 A
, H01L27/14 F
, H04N5/335 690
, H01L27/14 E
4M118AA10
, 4M118BA04
, 4M118BA07
, 4M118BA09
, 4M118CA02
, 4M118CA14
, 4M118CB20
, 4M118HA21
, 4M118HA26
, 4M118HA27
, 5C024CY47
, 5C024GX05
, 5C024GX07
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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