半導体装置およびその作製方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-183920
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071491
出願日： 2010年08月19日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】特性の良い光電変換素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。または、簡単な工程で、特性の良い光センサ光電変換装置を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】光透過性を有する基板と、光透過性を有する基板上の絶縁層と、絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第1の導電型を示す半導体領域、および、第2の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、第1の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第1の電極と、第2の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第2の電極とを有する光電変換素子とを備える半導体装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光透過性を有する基板と、前記光透過性を有する基板上の絶縁層と、前記絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第1の導電型を示す半導体領域、および、第2の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、前記第1の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第1の電極と、前記第2の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第2の電極とを有する光電変換素子とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (14件)：

H01L 31/10 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/762 , H01L 21/76 , H01L 27/146 , H01L 27/06 , H01L 21/823 , H01L 27/08 , H01L 21/265 , H01L 21/322 , H01L 21/20

FI (12件)：

H01L31/10 A , H01L29/78 613Z , H01L29/78 627D , H01L27/12 B , H01L21/76 D , H01L21/76 L , H01L27/14 C , H01L27/06 102A , H01L27/08 331E , H01L21/265 Q , H01L21/322 X , H01L21/20

Fターム (182件)：

4M118AA01 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA09 , 4M118CA05 , 4M118CA14 , 4M118CB01 , 4M118CB02 , 4M118FB13 , 4M118GB05 , 4M118GC07 , 4M118HA26 , 5F032AA06 , 5F032AA34 , 5F032BA06 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA21 , 5F032DA21 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA41 , 5F032DA60 , 5F032DA71 , 5F032DA78 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F048BC18 , 5F048BD09 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F049MA04 , 5F049MB03 , 5F049NA01 , 5F049NA03 , 5F049NA05 , 5F049NA18 , 5F049NB07 , 5F049NB10 , 5F049PA07 , 5F049PA10 , 5F049PA12 , 5F049PA14 , 5F049RA04 , 5F049RA08 , 5F049SE05 , 5F049SS03 , 5F049SZ06 , 5F049SZ12 , 5F049SZ16 , 5F049UA01 , 5F049UA14 , 5F110AA16 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL05 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL12 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM13 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110QQ02 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17 , 5F152AA12 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152BB08 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC06 , 5F152CC08 , 5F152CC16 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CE03 , 5F152CE04 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE08 , 5F152CE14 , 5F152CE23 , 5F152CE24 , 5F152CE28 , 5F152CE29 , 5F152CE48 , 5F152DD02 , 5F152DD09 , 5F152EE14 , 5F152EE16 , 5F152FF02 , 5F152FF03 , 5F152FF04 , 5F152FF06 , 5F152FF07 , 5F152FF08 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF15 , 5F152FF16 , 5F152FF17 , 5F152FF20 , 5F152FF22 , 5F152FF23 , 5F152FF28 , 5F152FF29 , 5F152FG01 , 5F152FG04 , 5F152FG18 , 5F152LM09 , 5F152LP02 , 5F152LP04 , 5F152MM04 , 5F152MM12 , 5F152MM19 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NP12 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ06

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法並びに電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-348502 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、電子機器の製造方法、半導体装置、電気光学装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-285996 出願人：セイコーエプソン株式会社
光検出器内蔵表示装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-155980 出願人：セイコーエプソン株式会社

全件表示

前のページに戻る