特許
J-GLOBAL ID：201503001729266914

Ag-Sbめっき膜を有する電子部品、Ag-Sbめっき液及び前記電子部品の製造方法

発明者：
高橋 祐史

高橋 祐史 について

, 
大内 高志

大内 高志 について


出願人/特許権者：
JX日鉱日石金属株式会社

JX日鉱日石金属株式会社 について


代理人 (3件)： 酒井 正己 ,  加々美 紀雄 ,  須田 芳國
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-015376
公開番号（公開出願番号）：特開2015-140469
出願日： 2014年01月30日
公開日（公表日）： 2015年08月03日
要約：
【課題】本発明は、高光沢でかつ、光の反射率が高く、熱処理により光沢度の低下が見られない電子部品を提供することを目的とする。【解決手段】銅素材又は銅めっき膜上に、直接、又は下地Niめっき膜を介してAg-Sb合金めっき膜を有し、前記Ag-Sb合金めっき膜は、Sb品位が0.1〜2.0質量%、膜厚が0.1〜10μmであることを特徴とする電子部品。前記Ag-Sb合金めっき膜は、反射率が89%以上でかつ、光沢度が1.8以上でかつ、熱処理(200°C×1hr.)による光沢度低下が、熱処理前の光沢度の20%以下となる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
銅素材又は銅めっき膜上に、直接、又は下地Niめっき膜を介してAg-Sb合金めっき膜を有し、前記Ag-Sb合金めっき膜は、Sb品位が0.1〜2.0質量%、膜厚が0.1〜10μmであることを特徴とする電子部品。
IPC (6件)：
C25D 7/00 ,  H01L 33/60 ,  C25D 5/12 ,  C25D 3/64 ,  H01L 23/50 ,  G02B 5/08
FI (7件)：
C25D7/00 G ,  H01L33/00 432 ,  C25D7/00 J ,  C25D5/12 ,  C25D3/64 ,  H01L23/50 D ,  G02B5/08 A
Fターム (49件)：
2H042DA04 ,  2H042DA10 ,  2H042DA14 ,  2H042DC01 ,  2H042DE04 ,  4K023AB40 ,  4K023BA07 ,  4K023BA11 ,  4K023BA15 ,  4K023BA16 ,  4K023BA24 ,  4K023BA26 ,  4K023BA29 ,  4K023CA09 ,  4K023DA04 ,  4K023DA06 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA24 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024BA09 ,  4K024BB09 ,  4K024BB11 ,  4K024BB13 ,  4K024CA01 ,  4K024CA04 ,  4K024CA07 ,  4K024DA09 ,  4K024DB01 ,  4K024GA16 ,  5F067AA00 ,  5F067DC17 ,  5F067DC18 ,  5F067EA04 ,  5F142AA04 ,  5F142AA64 ,  5F142AA75 ,  5F142BA24 ,  5F142BA32 ,  5F142CD18 ,  5F142CD49 ,  5F142CE08 ,  5F142CE13 ,  5F142CE18 ,  5F142FA21
引用特許：
審査官引用 (10件)
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