特許
J-GLOBAL ID：201503001949191532

不揮発性記憶装置

発明者：
才田 大輔

才田 大輔 について

, 
下村 尚治

下村 尚治 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-058366
公開番号（公開出願番号）：特開2015-185580
出願日： 2014年03月20日
公開日（公表日）： 2015年10月22日
要約：
【課題】高速磁化反転における反転電流を低減した不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、積層体と制御部とを含む不揮発性記憶装置が提供される。積層体は、磁化の方向が固定された第1強磁性層と、第2強磁性層と、第1強磁性層と第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層とを含む。第2強磁性層は、第1強磁性層と積層され、磁化の方向が可変の第1部分と、第1部分と積層され磁化の方向が可変の第2部分と、を含む。第1部分の磁気共鳴周波数は、第2部分の磁気共鳴周波数とは異なる。制御部は、積層体と電気的に接続され、第1期間において積層体に第1値の大きさのパルス電流を流す。第1部分及び第2部分の磁化の方向は、パルス電流の向きに応じた方向に向く。第1期間の長さは、第2強磁性層全体の磁気共鳴周波数の逆数の奇数倍の絶対値の0.9倍以上1.1倍以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁化の方向が固定された第1強磁性層と、 前記第1強磁性層と積層された第2強磁性層であって、 磁化の方向が可変である第1部分と、 前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との積層方向に前記第1部分と積層され磁化の方向が可変である第2部分と、 を含み、前記第1部分の磁気共鳴周波数は前記第2部分の磁気共鳴周波数とは異なり、 前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、 を含む積層体と、 前記積層体と電気的に接続され、第1期間において前記積層体に第1値の大きさのパルス電流を流す制御部と、 を備え、 前記第1部分の前記磁化の方向及び前記第2部分の前記磁化の方向は、前記パルス電流の向きに応じた方向に向き、 前記第1期間の長さは、前記第2強磁性層全体の磁気共鳴周波数の逆数の奇数倍の絶対値の0.9倍以上1.1倍以下である不揮発性記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15
FI (5件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 U ,  G11C11/15 112 ,  G11C11/15 116
Fターム (32件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD17 ,  4M119DD22 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD45 ,  4M119KK10 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092FA09 ,  5F092GA03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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