磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-050910
公開番号（公開出願番号）：特開2014-179381
出願日： 2013年03月13日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：

【課題】誤動作を抑制した磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】磁気記憶素子110は第1積層部SB1及び第2積層部SB2を備える。第1積層部SB1は、第1強磁性層10及び第2強磁性層20と第1非磁性層10nとを含む。第1強磁性層10の磁化の方向は固定である。第2強磁性層20は第1部分21及び第2部分22を含む。第1及び第2部分の磁化の方向は可変である。第2部分22の磁気共鳴周波数は、第1部分21の磁気共鳴周波数よりも低い。第1非磁性層10nは第1及び第2強磁性層の間に設けられる。第2積層部SB2は磁化の方向が可変である第3強磁性層30を含む。第1及び第2積層部に電流が流れた際に、第3強磁性層30の磁化が歳差運動して回転磁界を発生させる。スピン偏極した電子及び回転磁界の作用により、第1及び第2部分の磁化が電流の向きに応じた方向に向く。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化の方向が固定された第1強磁性層と、前記第1強磁性層と積層された第2強磁性層であって、磁化の方向が可変である第1部分と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との積層方向に前記第1部分と積層され磁化の方向が可変である第2部分と、を含み、前記第2部分の磁気共鳴周波数は前記第1部分の磁気共鳴周波数よりも低い第2強磁性層と、前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、を含む第1積層部と、前記積層方向に前記第1積層部と積層された第2積層部であって、磁化の方向が可変である第3強磁性層を含む第2積層部と、を備え、前記積層方向に前記第1積層部及び前記第2積層部に電流が流れた際に、前記第3強磁性層の前記磁化が歳差運動して回転磁界が発生し、スピン偏極した電子及び前記回転磁界の作用により、前記第1部分及び前記第2部分のそれぞれの前記磁化の方向は前記電流の向きに応じた方向に向く磁気記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 29/82 , H01L 43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z

Fターム (40件)：

4M119AA03 , 4M119AA07 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD24 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE24 , 4M119EE27 , 4M119HH01 , 4M119HH02 , 4M119HH04 , 4M119JJ03 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AC30 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB55 , 5F092BC07 , 5F092BC13 , 5F092BC42 , 5F092BC43 , 5F092BC46 , 5F092BE27 , 5F092FA09

引用特許：

審査官引用 (7件)

磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-210181 出願人：株式会社東芝
磁気記録素子および不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-209390 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-286353 出願人：株式会社東芝

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