特許
J-GLOBAL ID：201503002658694924

TFTイオンセンサ並びにこれを用いた測定方法及びTFTイオンセンサ機器

発明者：
竹知 和重

竹知 和重 について

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芳賀 浩史

芳賀 浩史 について

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岩松 新之輔

岩松 新之輔 について

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小林 誠也

小林 誠也 について

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阿部 泰

阿部 泰 について

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矢作 徹

矢作 徹 について


出願人/特許権者：
NLTテクノロジー株式会社

NLTテクノロジー株式会社 について

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山形県

山形県 について


代理人 (1件)： 高橋 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-068159
公開番号（公開出願番号）：特開2015-190848
出願日： 2014年03月28日
公開日（公表日）： 2015年11月02日
要約：
【課題】 TFTやMOSFETを用いたイオンセンサでは、測定感度が低く、極微量なセンシング対象物質の検出が困難であるという課題があった。【解決手段】 ゲート電極(シリコン基板11)と参照電極17をともに有する構造で、ゲート絶縁膜(熱酸化膜10)の静電容量よりもイオン感応絶縁膜14の静電容量を大きくし、ゲート-ソース間電圧対ソース-ドレイン間電流特性の閾値電圧シフトからセンシング対象物質16中のイオンやホルモン等の濃度を高感度に検出できるTFTイオンセンサ101を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ソース電極及びドレイン電極が接続された半導体活性層と、 前記半導体活性層の一方の面に設けられたゲート絶縁膜及びゲート電極と、 前記半導体活性層の他方の面に設けられたイオン感応絶縁膜と、 前記イオン感応絶縁膜から空間的に離れた位置に設けられた参照電極と、 を備えたTFTイオンセンサにおいて、 前記イオン感応絶縁膜の単位面積当たりの静電容量が前記ゲート絶縁膜の単位面積当たりの静電容量よりも大きく、かつ、 前記ソース電極と前記ゲート電極との間の電位差を読み取る電圧検出部を更に備えた、 ことを特徴とするTFTイオンセンサ。
IPC (5件)：
G01N 27/414 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (12件)：
G01N27/30 301D ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301A ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 301U ,  H01L29/78 625 ,  G01N27/30 301E ,  G01N27/30 301K ,  G01N27/30 301L ,  G01N27/30 301X
Fターム (72件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104EE05 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  5F110BB09 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE08 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110PP03 ,  5F140AA00 ,  5F140AC36 ,  5F140AC37 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA12 ,  5F140BC17 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BF06 ,  5F140BJ07 ,  5F140BK29 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC10 ,  5F140CC11 ,  5F140CC19
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 化学センサ及び検出方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-052822   出願人：セイコーエプソン株式会社
  • バイオセンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-217872   出願人：大日本印刷株式会社
  • ガスセンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-329419   出願人：国立大学法人岡山大学
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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