特許
J-GLOBAL ID：201503003766555783
ネガ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
, 正木 克彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-013960
公開番号（公開出願番号）：特開2014-145885
特許番号：特許第5821862号
出願日： 2013年01月29日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位aと、ヒドロキシ基を有する繰り返し単位bを有する高分子化合物をベース樹脂とするネガ型レジスト材料。
(式中、R1は炭素数1〜4の直鎖状のアルキレン基、R2は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基、R3は水素原子又はメチル基であり、Y1は単結合、-C(=O)-O-又は-C(=O)-NH-であり、R4は単結合、又は炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R5は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、又は炭素数1〜6の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、又はアシロキシ基であり、R6は単結合、又は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基である。mは0〜4の整数であり、nは1又は2である。a、bは0<a<1.0、0<b<1.0の範囲である。pは0又は1である。)
IPC (2件)：
G03F 7/038 ( 200 6.01)
, C08F 212/14 ( 200 6.01)
G03F 7/038 601
, C08F 212/14
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
