エッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村上智司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-184393
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239757
特許番号：特許第5762491号
出願日： 2013年09月05日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】処理チャンバ内の基台上に載置された炭化珪素基板をエッチングするエッチング方法であって、前記炭化珪素基板を200°C以上に加熱し、少なくともSiF4ガス又はSiCl4ガスを含むシリコン系ガス、並びに酸素ガス又は窒素ガスを含む処理ガスを、前記処理チャンバ内に供給してプラズマ化し、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜を保護膜として前記炭化珪素基板に形成しつつ該炭化珪素基板をエッチングし、前記炭化珪素基板には、二酸化珪素膜からなるエッチングマスクのみが形成されていることを特徴とするエッチング方法。

IPC (1件)：