特許
J-GLOBAL ID：201503004358186091
金属膜パターン付き基体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
家入 健
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-207444
公開番号（公開出願番号）：特開2013-067084
特許番号：特許第5818252号
出願日： 2011年09月22日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 金属膜を、透明素材からなる基体上に形成する工程と、
前記金属膜上に光反応性接着層、熱可塑性樹脂からなる疎水性高分子を主成分とするレジスト膜をこの順に成膜し、かつ前記光反応性接着層の活性光線照射により、当該光反応性接着層と前記レジスト膜とを接着させる工程と、
前記レジスト膜に対して、モールドの表面に形成された凹凸パターンを転写することによりレジスト膜パターンを形成する工程と、
前記レジスト膜パターンに形成された凹凸パターンの凹部において、前記レジスト膜が除去されるように残渣処理を行う工程と、
前記レジスト膜パターンを用いて、露出した前記金属膜をウェットエッチングして金属膜パターンを形成する工程と、を備え、
前記金属膜パターンを形成する工程は、前記モールドの表面に形成された凹凸パターンの凹部サイズよりも平面視上、前記金属膜パターンが縮小サイズとなるように、前記モールドの凹凸パターンの凹部サイズと実質的に等倍の金属膜パターンを得るよりもウェットエッチング処理時間を長くし、当該金属膜パターンのサイドエッチングを行う工程が含まれている熱ナノインプリントリソグラフィ法に行い、
前記サイドエッチングにより波長400〜800nmにおける前記金属膜パターンが形成された基体の平均透過率を高めて、透明導電基板として用いる金属膜パターン付き基体の製造方法。
IPC (4件)：
B29C 59/02 ( 200 6.01)
, C23F 1/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/306 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
B29C 59/02 Z
, C23F 1/00 102
, H01L 21/306 F
, H01L 21/30 502 D
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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