特許
J-GLOBAL ID：201003068415724578

金属パターンを有する基板の製造方法、およびその基板

発明者：
中川 勝

中川 勝 について

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永瀬 康一

永瀬 康一 について

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大嶽 知之

大嶽 知之 について

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高岡 利明

高岡 利明 について


出願人/特許権者：
日油株式会社

日油株式会社 について

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国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (2件)： 酒井 一 ,  蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-026938
公開番号（公開出願番号）：特開2010-182986
出願日： 2009年02月09日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】特定の感紫外線化合物を用いて設計どおりの微細金属パターンを有する基板を容易に大量生産も可能に得ることができる金属パターンを有する基板の製造方法を提供する。【解決手段】金属薄膜2を有する基板1表面に式(I)に示す感紫外線化合物3を吸着させ、該化合物上に熱可塑性高分子4により層を設け、紫外線を照射し、得られた熱可塑性高分子層上に熱ナノインプリント法によって凹凸を形成し、熱可塑性高分子の残膜を除去し、凹み部分に電気めっきにより金属層を形成し、熱可塑性高分子層を除去し、凹み部分における金属薄膜を除去して、金属パターンを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属薄膜を有する基板表面に下記式(I)に示す感紫外線化合物を吸着させる工程、該 感紫外線化合物上に熱可塑性高分子により層を設け、紫外線を照射する工程、得られた熱可塑性高分子層上に熱ナノインプリント法によって凹凸を形成する工程、凹み部分における熱可塑性高分子の残膜を除去する工程、凹み部分に電気めっきにより金属層を形成する工程、熱可塑性高分子層を除去する工程、及び凹み部分における金属薄膜を除去し、金属パターンを形成する工程を含む金属パターンを有する基板の製造方法。
IPC (5件)：
H05K 3/18 ,  H01L 21/027 ,  B29C 59/02 ,  C25D 5/02 ,  C25D 7/00
FI (6件)：
H05K3/18 D ,  H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z ,  C25D5/02 E ,  C25D7/00 J ,  H05K3/18 G
Fターム (50件)：
4F209AA13 ,  4F209AA44 ,  4F209AB06 ,  4F209AC05 ,  4F209AD03 ,  4F209AD08 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  4F209PW31 ,  4F209PW37 ,  4F209PW41 ,  4K024AA02 ,  4K024AA03 ,  4K024AA05 ,  4K024AA07 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AB15 ,  4K024BA12 ,  4K024BA15 ,  4K024BB11 ,  4K024FA06 ,  4K024FA07 ,  4K024FA08 ,  4K024GA16 ,  5E343AA02 ,  5E343AA22 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB71 ,  5E343CC01 ,  5E343CC61 ,  5E343DD25 ,  5E343DD43 ,  5E343DD76 ,  5E343EE22 ,  5E343ER12 ,  5E343GG03 ,  5E343GG08 ,  5F046AA28
引用特許：
出願人引用 (8件)
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