特許
J-GLOBAL ID：201503004688245140

アモルファスシリコン膜の成膜方法および成膜装置

発明者：
柿本 明修

柿本 明修 について

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高木 聡

高木 聡 について

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五十嵐 一将

五十嵐 一将 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-042007
公開番号（公開出願番号）：特開2015-146430
出願日： 2015年03月04日
公開日（公表日）： 2015年08月13日
要約：
【課題】より平滑な表面を持ち、かつ、更なる薄膜化を達成することが可能なアモルファスシリコン膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】下地2を加熱し、加熱した下地2にシリコン原子と窒素原子との結合を有する有機シリコン化合物を含むガスを供給し、下地2上にシリコン原子と窒素原子との結合を有する有機シリコン化合物を吸着させる工程と、下地2を加熱し、加熱され、有機シリコン化合物が吸着された下地2にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、有機シリコン化合物が吸着された下地2上にアモルファスシリコン膜4を形成する工程と、アモルファスシリコン膜4をエッチングし、該アモルファスシリコン膜4の膜厚を減ずる工程とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
下地上にアモルファスシリコン膜を含む膜を成膜する成膜方法であって、 (1) 前記下地を加熱し、前記加熱した下地にシリコン原子と窒素原子との結合を有する有機シリコン化合物を含むガスを供給し、前記下地上にシリコン原子と窒素原子との結合を有する有機シリコン化合物を吸着させる工程と、 (2) 前記下地を加熱し、前記加熱され、前記有機シリコン化合物が吸着された下地にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、前記有機シリコン化合物が吸着された下地上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、 (3) 前記アモルファスシリコン膜をエッチングし、該アモルファスシリコン膜の膜厚を減ずる工程と を備えることを特徴とするアモルファスシリコン膜の成膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 301A
Fターム (22件)：
4M104BB01 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD65 ,  4M104HH20 ,  5F045AA06 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AF08 ,  5F045BB19 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB11 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EF20 ,  5F045HA13
引用特許：
審査官引用 (4件)
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