積層構造体、スイッチング素子、磁気デバイス、及び積層構造体の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小池晃 , 伊賀誠司 , 藤井稔也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-036216
公開番号（公開出願番号）：特開2015-162536
出願日： 2014年02月27日
公開日（公表日）： 2015年09月07日
要約：

【課題】より安定した垂直磁化配向を有し、電圧によって磁化配向性を面直方向と面内方向との間に切換可能とする。【解決手段】強誘電性と強磁性とを併せ持つマルチフェロイック構造の積層構造体10であって、強誘電性を有する強誘電体からなる強誘電体層11と、強誘電体と格子整合性が良い金属を主成分とし、強誘電体層の一面に積層される下地層12と、非磁性体を主成分とし、下地層の一面に積層される中間層13と、強磁性体を主成分とする強磁性体層15と非磁性体を主成分とする非磁性体層16とを互い違いに少なくとも3周期以上を中間層の一面に積層させて構成される強磁性/非磁性の多層膜層14と、を備えることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

強誘電性と強磁性とを併せ持つマルチフェロイック構造の積層構造体であって、前記強誘電性を有する強誘電体からなる強誘電体層と、前記強誘電体と格子整合性が良い金属を主成分とし、前記強誘電体層の一面に積層される下地層と、非磁性体を主成分とし、前記下地層の一面に積層される中間層と、強磁性体を主成分とする強磁性体層と前記非磁性体を主成分とする非磁性体層とを互い違いに少なくとも3周期以上を前記中間層の一面に積層させて構成される強磁性/非磁性の多層膜層と、を備えることを特徴とする積層構造体。

IPC (6件)：

H01F 10/28 , H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/14 , H01F 10/32

FI (5件)：

H01F10/28 , H01L29/82 Z , H01L27/10 447 , H01F10/14 , H01F10/32

Fターム (22件)：

4M119AA01 , 4M119CC08 , 4M119CC09 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA22 , 5E049BA30 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB12 , 5F092AA04 , 5F092AB02 , 5F092AB06 , 5F092AC22 , 5F092AD23 , 5F092AD24 , 5F092BD03 , 5F092BD13 , 5F092BD14 , 5F092BD20 , 5F092BE21 , 5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (4件)

スピン偏極率制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-254150 出願人：谷山智康
磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-264629 出願人：ソニー株式会社
磁気抵抗効果膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-254474 出願人：日本電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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