特許
J-GLOBAL ID：201503006760036643

半導体発光素子、画像形成装置、画像表示装置、及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
鈴木 貴人

鈴木 貴人 について

, 
兼藤 大志

兼藤 大志 について


出願人/特許権者：
株式会社沖データ

株式会社沖データ について


代理人 (3件)： 前田 実 ,  山形 洋一 ,  篠原 昌彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-271535
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126190
出願日： 2013年12月27日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
要約：
【課題】半導体薄膜発光素子を、放熱性の高いメタル層上に直接分子間力を用いて接合する際、ボンディング面としてAuGeNi合金層を用いる構造が提案されているが、密着性向上層として用いるTiとの共晶下を防ぐためにバリアメタルとして化学的に安定なPtを用いた場合、ウェットエッチングが困難となり、ダイシング時のダメージを避けることが難しかった。【解決手段】接合基板(102,103,104)と、形成基板102上に形成したボンディングメタル107と、複数の発光部を有してボンディングメタル107上に接合した半導体薄膜発光素子108とを備え、ボンディングメタル107は、最表層をAuGeNi層106で形成し、形成基板102との密着性向上層をNi層105で形成し、発光部を一次元或いは二次元に配列する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
接合基板と、 前記接合基板上に形成したボンディングメタルと、 複数の発光部を有し、前記ボンディングメタル上に接合した半導体薄膜発光素子と を備え、 前記ボンディングメタルは、最表層をAuGeNiで形成し、前記接合基板との密着性向上層をNiで形成し、 前記発光部を一次元或いは二次元に配列したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (8件)：
H01L 33/62 ,  G02B 27/02 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  G09F 9/00 ,  G09F 9/33 ,  G02B 26/10
FI (6件)：
H01L33/00 440 ,  G02B27/02 Z ,  B41J3/21 L ,  G09F9/00 338 ,  G09F9/33 Z ,  G02B26/10 101
Fターム (61件)：
2C162AE21 ,  2C162AE28 ,  2C162AE40 ,  2C162AE47 ,  2C162FA04 ,  2C162FA17 ,  2C162FA23 ,  2H045AB00 ,  2H045BA02 ,  2H045BA22 ,  2H045BA23 ,  2H199CA04 ,  2H199CA12 ,  2H199CA25 ,  2H199CA30 ,  2H199CA33 ,  2H199CA42 ,  2H199CA47 ,  5C094AA43 ,  5C094BA23 ,  5C094CA19 ,  5C094DB04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB05 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5F142AA42 ,  5F142AA54 ,  5F142AA58 ,  5F142BA02 ,  5F142BA32 ,  5F142CA16 ,  5F142CB07 ,  5F142CB18 ,  5F142CB22 ,  5F142CD02 ,  5F142CD15 ,  5F142CD32 ,  5F142CD43 ,  5F142CD49 ,  5F142CF02 ,  5F142CF24 ,  5F142DB24 ,  5F142FA03 ,  5F142FA30 ,  5F142FA34 ,  5F142FA46 ,  5F142FA48 ,  5F142FA50 ,  5F142GA01 ,  5F142GA06 ,  5F142GA11 ,  5F142GA40 ,  5G435AA17 ,  5G435BB04 ,  5G435EE37 ,  5G435HH12 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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