特許
J-GLOBAL ID：201503008956677038
表面平坦化方法及び表面平坦化システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安彦 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-035928
公開番号（公開出願番号）：特開2015-162518
出願日： 2014年02月26日
公開日（公表日）： 2015年09月07日
要約：
【課題】基板上に残存する凹凸を、近接場光を利用して選択的に除去する際に、そのエッチング速度を制御する。【解決手段】本基板上に存在する凹凸を選択的に除去する表面平坦化方法であって、チャンバ11内に前記基板2を載置する載置工程と、前記チャンバ内に、活性種となった場合に前記凹凸を形成する素材に基づき前記凹凸と選択的に反応する反応性ガスを導入する導入工程と、前記凹凸に近接場光を発生しうる波長の光12を、偏光素子24を介して前記基板に照射する照射工程と、前記光の照射により前記凹凸の局所領域に発生した近接場光に基づく非共鳴過程を経て、前記反応性ガスを解離させて前記活性種を生成させる活性種生成工程と、生成された前記活性種により、前記凹凸を選択的に除去する除去工程とを有し、前記照射工程では、前記光の電場成分の振動方向が、前記凹凸のパターンの方向に対して垂直となるように、前記光を偏光させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に存在する凹凸を選択的に除去する表面平坦化方法であって、
チャンバ内に前記基板を載置する載置工程と、
前記チャンバ内に、活性種となった場合に前記凹凸を形成する素材に基づき前記凹凸と選択的に反応する反応性ガスを導入する導入工程と、
前記凹凸に近接場光を発生しうる波長の光を、偏光素子を介して前記基板に照射する照射工程と、
前記光の照射により前記凹凸の局所領域に発生した近接場光に基づく非共鳴過程を経て、前記反応性ガスを解離させて前記活性種を生成させる活性種生成工程と、
生成された前記活性種により、前記凹凸を選択的に除去する除去工程とを有し、
前記照射工程では、前記光の電場成分の振動方向が、前記凹凸のパターンの方向に対して垂直となるように、前記光を偏光させることを特徴とする表面平坦化方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, B82Y 40/00
, C03C 15/00
H01L21/302 201A
, B82Y40/00
, C03C15/00 Z
4G059AA08
, 4G059AC03
, 4G059BB01
, 4G059BB12
, 5F004AA02
, 5F004AA09
, 5F004AA11
, 5F004BB02
, 5F004BB03
, 5F004DA00
, 5F004DA04
, 5F004DA05
, 5F004DA11
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB00
