特許
J-GLOBAL ID：201503010009937314

パワー回路およびパワーモジュール

発明者：
大嶽 浩隆

大嶽 浩隆 について

, 
柳 達也

柳 達也 について

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中小原 佑輔

中小原 佑輔 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-268787
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126342
出願日： 2013年12月26日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
要約：
【課題】誤動作および寄生発振を抑制し高速スイッチング性能のパワー回路およびパワー回路を搭載するパワーモジュールを提供する。【解決手段】パワー回路1は、主基板10と、主基板上に配置され、正側電力端子Pに接続された第1電極パターン121と、主基板上に配置され、負側電力端子Nに接続された第2電極パターン12nと、主基板上に配置され、出力端子Oに接続された第3電極パターン124と、第1電極パターン上に第1ドレインが配置された第1MISFETQ1と、第3電極パターン上に第2ドレインが配置された第2MISFETQ4と、第1MISFETの第1ゲートG1および第1ソースS1間に接続され、第1ソースから第1ゲートに向けて導通する電流の経路を制御する第1制御回路(ゲートダイオードDG1)とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主基板と、 前記主基板上に配置され、正側電力端子に接続された第1電極パターンと、 前記主基板上に配置され、負側電力端子に接続された第2電極パターンと、 前記主基板上に配置され、出力端子に接続された第3電極パターンと、 前記第1電極パターン上に第1ドレインが配置された第1MISFETと、 前記第3電極パターン上に第2ドレインが配置された第2MISFETと、 前記第1MISFETの第1ゲートおよび第1ソース間に接続され、前記第1ソースから前記第1ゲートに向けて導通する電流の経路を制御する第1制御回路と を備えることを特徴とするパワー回路。
IPC (11件)：
H03K 17/16 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H03K 17/695 ,  H03K 17/687 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (10件)：
H03K17/16 M ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 656A ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 653A ,  H03K17/687 B ,  H03K17/687 F ,  H01L25/04 C
Fターム (36件)：
5F048AA03 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BB19 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048BC18 ,  5F048BD06 ,  5F048CB06 ,  5J055AX25 ,  5J055AX34 ,  5J055AX42 ,  5J055AX45 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055CX13 ,  5J055CX20 ,  5J055DX12 ,  5J055DX22 ,  5J055EX07 ,  5J055EY01 ,  5J055EY05 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055FX05 ,  5J055FX13 ,  5J055FX33 ,  5J055GX01 ,  5J055GX05 ,  5J055GX07
引用特許：
審査官引用 (5件)
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