特許
J-GLOBAL ID:201503011732024196

成膜装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 俊夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-026330
公開番号(公開出願番号):特開2013-165116
特許番号:特許第5803714号
出願日: 2012年02月09日
公開日(公表日): 2013年08月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】 真空容器内にて互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給するサイクルを複数回行って、反応生成物を積層することにより基板に薄膜を成膜する成膜装置において、 前記真空容器内に設けられ、基板を載置する基板載置領域がその一面側に形成されると共に、この基板載置領域を公転させるための回転テーブルと、 この回転テーブルの周方向に互いに離間した複数の処理領域に対して互いに異なる処理ガスを夫々供給するための複数の処理ガス供給部と、 各処理領域の雰囲気を分離するために、各処理領域の間に形成された分離領域に対して分離ガスを供給する分離ガス供給部と、 前記真空容器内の雰囲気を真空排気するための排気口と、 基板に対してプラズマ処理を行うためのプラズマ処理部と、 前記真空容器の天井部に形成された開口部と、を備え、 前記プラズマ処理部は、 プラズマを発生させるプラズマ発生空間を区画形成し、下部側にプラズマの吐出口が形成された第1の囲み部分と、 前記プラズマ発生空間に処理ガスを供給するプラズマ発生用ガス供給部と、 前記プラズマ発生空間の処理ガスを活性化するための活性化部と、 前記吐出口から吐出するプラズマを前記回転テーブルの一面側に案内し、前記回転テーブルの中心部側から外縁部側に亘って伸びる案内空間を形成するために、前記第1の囲み部分の下方側に設けられた第2の囲み部分と、を備え、 前記第1の囲み部分と前記第2の囲み部分との結合体が前記開口部を介して真空容器内に嵌入され、前記第1の囲み部分が前記天井部の天井面よりも上方側に位置していることを特徴とする成膜装置。
IPC (2件):
H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  C23C 16/509 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/31 B ,  H01L 21/31 C ,  C23C 16/509
引用特許:
審査官引用 (7件)
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