特許
J-GLOBAL ID：201003085979497948

プラズマ処理装置

発明者：
節原 裕一

節原 裕一 について

, 
江部 明憲

江部 明憲 について


出願人/特許権者：
株式会社イー・エム・ディー

株式会社イー・エム・ディー について


代理人 (3件)： 特許業務法人京都国際特許事務所 ,  小林 良平 ,  谷口 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-057328
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212105
出願日： 2009年03月11日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：
【課題】真空容器内に強い誘導電磁界を形成することができ、且つ、アンテナ導体のスパッタリングや温度上昇及びパーティクルの発生を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】真空容器11と、真空容器11の壁の内面111Aと外面111Bの間に配置された高周波アンテナ21と、前記高周波アンテナ21と前記真空容器11の内部を仕切る誘電体製の仕切材16と、を備える。これにより、外部アンテナ方式よりも強い誘導電磁界を真空容器11内に形成することができる。また、仕切材16により、真空容器11内で生成されたプラズマにより高周波アンテナ21がスパッタされることや高周波アンテナ21の温度が上昇すること及びパーティクルが発生することを抑えることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
a) 真空容器と、 b) 前記真空容器の壁の内面と外面の間に設けられたアンテナ配置部と、 c) 前記アンテナ配置部に配置された高周波アンテナと、 d) 前記アンテナ配置部と前記真空容器の内部を仕切る誘電体製の仕切材と、 を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H05H 1/46 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/505
FI (4件)：
H05H1/46 L ,  H01L21/302 101C ,  H01L21/205 ,  C23C16/505
Fターム (16件)：
4K030FA04 ,  4K030KA12 ,  4K030KA26 ,  4K030KA30 ,  4K030KA32 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F045AA08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB14 ,  5F045EH02 ,  5F045EH03 ,  5F045EH04 ,  5F045EH11
引用特許：
出願人引用 (18件)
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審査官引用 (18件)
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