特許

J-GLOBAL ID：201503013575834904

シリコン酸化膜上のシリコン窒化膜を選択的に研磨するための研磨組成物及び方法

発明者： アブダヤ ミシュラ ,  ルリング ワン
出願人/特許権者： フジフイルム プラナー ソリューションズ エルエルシー
代理人 (5件)： 木村 満 ,  毛受 隆典 ,  森川 泰司 ,  桜田 圭 ,  美恵 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-076924
公開番号（公開出願番号）：特開2015-201644
出願日： 2015年04月03日
公開日（公表日）： 2015年11月12日
要約：

【課題】シリコン窒化物(SiN)膜を選択的に研磨し、シリコン酸化膜上でほぼ停止する(非常に低い速度で研磨する)ことができる安定した水性研磨組成物を提供する。【解決手段】アニオン性研磨剤、カルボキシル基又はカルボキシレート基を含む窒化物除去速度促進剤、水及び所望により、アニオン性ポリマーを含む。アニオン性(負に帯電した)研磨剤と窒化物除去速度促進剤との相乗的組み合わせにより、CMP中の誘電体膜の有益な電荷相互作用、(酸化物上で)高いSiN速度及び選択性の向上、及び安定したコロイド状分散スラリーが提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)アニオン性研磨剤、 (b)シリコン窒化物速度を増大させるためのカルボン酸又はカルボキシル/カルボキシレート基を含む窒化物除去速度促進剤、 (c)水、及び (d)所望により、アニオン性ポリマーを含み、 約2〜約6.5のpHを有する、 研磨組成物。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14

FI (6件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 621D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z ,  C09K3/14 550D

Fターム (42件)：

3C158AA07 ,  3C158CA01 ,  3C158CA05 ,  3C158CB01 ,  3C158CB03 ,  3C158CB10 ,  3C158DA02 ,  3C158DA12 ,  3C158DA17 ,  3C158EA11 ,  3C158EB01 ,  3C158ED01 ,  3C158ED04 ,  3C158ED08 ,  3C158ED11 ,  3C158ED12 ,  3C158ED21 ,  3C158ED23 ,  3C158ED26 ,  5F057AA14 ,  5F057AA17 ,  5F057AA28 ,  5F057BA11 ,  5F057BA18 ,  5F057BA24 ,  5F057BB19 ,  5F057BB37 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F057EA01 ,  5F057EA06 ,  5F057EA07 ,  5F057EA08 ,  5F057EA09 ,  5F057EA16 ,  5F057EA21 ,  5F057EA26 ,  5F057EA27 ,  5F057EA29 ,  5F057EA32 ,  5F057GA02 ,  5F057GA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ケイ素を研磨するための組成物及び方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-500376   出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション
• 研磨液及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-171074   出願人：富士フイルム株式会社
• 研磨液及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-081837   出願人：富士フイルム株式会社
• 窒化ケイ素用研磨液及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-147525   出願人：富士フイルム株式会社